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公开(公告)号：CN103482679A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310297706.4
申请日：2013-07-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种AZO纳米粉体和AZO烧结体的制备方法，该氧化锌铝(AZO)纳米粉体的制备方法。该方法包括步骤a)将锌铝合金与硝酸混合，反应后得到混合溶液；b)向所述混合溶液中加入碱性水溶液得到锌铝氢氧化物沉淀溶液；c)分离沉淀溶液中的沉淀物和液体，洗涤沉淀物，然后将洗涤后的沉淀物与去离子水混合搅拌得到沉淀浆液，经干燥后得到锌铝氢氧化物粉末；d)煅烧锌铝氢氧化物粉末即可得到AZO纳米粉体。本发明技术方案与单体氧化锌和氧化铝制备方法相比，由于本发明实现了氧化铝与氧化锌的同时生成且保证了制备的AZO粉末的粒径均匀，从而最终烧结性能良好。另外，本发明还提供上述AZO纳米粉体制备AZO烧结体的方法，得到的烧结体成分均匀，晶粒度小(7～10um)，密度较高(相对密度大于98％)。
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公开(公告)号：CN104807761A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510236181.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现微区光谱测量的光谱仪设计方法，其包括以下步骤：(1)利用成像系统将待测量样品成像至区域选择小孔板的平面内；(2)小孔区域内的光线穿过小孔进入光谱分析元件进行光谱分析与测量；(3)小孔区域外部的光线被小孔板上的高反射膜反射，并经由一半透半反镜反射；(4)半透半反镜的反射光由一成像透镜成像至图像记录元件(如CCD)平面；(5)通过移动样品位置，可对需要测量的不同区域成像至小孔内进行光谱分析测量该光谱仪可独立使用或联合显微镜使用。本发明利用小孔实现测量区域的选择，可以实现对于尺寸达微米甚至纳米量级样品的透射、反射、吸收及荧光光谱的测量。
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公开(公告)号：CN104807416A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510236182.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱，最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN105157579B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN105157579A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319738B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510801683.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种偏振成像系统，其包括：一偏振光源、一调控光源、一消光滤波装置、一成像装置以及一光学非线性偏振调控元件；该光学非线性偏振调控元件包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜；所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。本发明还涉及一种利用该偏振成像系统成像的方法。本发明提供的偏振成像系统可以实现对偏振光的全光式调控成像。该成像方法，具有方法简单，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN105319738A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510801683.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0126
Abstract: 本发明涉及一种偏振成像系统，其包括：一偏振光源、一调控光源、一消光滤波装置、一成像装置以及一光学非线性偏振调控元件；该光学非线性偏振调控元件包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜；所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。本发明还涉及一种利用该偏振成像系统成像的方法。本发明提供的偏振成像系统可以实现对偏振光的全光式调控成像。该成像方法，具有方法简单，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN105319737B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510801179.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜，所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法，其包括：在某一时间内，采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单，响应速度快的优点。
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公开(公告)号：CN104807416B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510236182.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱，最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN105319737A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510801179.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0136
Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜，所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法，其包括：在某一时间内，采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单，响应速度快的优点。
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