公开(公告)号：CN117374174A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311373216.8

申请日：2023-10-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 匡登峰 ,  王萱轩 ,  隋新骐

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及Micro‑LED芯片显示、Micro‑LED芯片制造领域，公开了一种巨量转移Micro‑LED芯片的工作系统及其工作方法，提出用微轴锥镜阵列产生的高均匀性光束阵列作为巨量转移的转印头光源，微轴锥镜阵列产生的贝塞尔光束阵列在照射转移头时吸收光产生电荷，将转移头接近源基板形成电子‑空穴对，实现对Micro‑LED芯片的精准吸附、抓取，使得Micro‑LED芯片与目标基板行物理接触并粘合至目标基板，实现Micro‑LED芯片高效转移、可靠键合。既满足了时效性，保证了极高的准确率，简化了现有技术中的复杂工序，提高效率，节约成本。

公开(公告)号：CN118213391A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410365774.8

申请日：2024-03-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 匡登峰 ,  王萱轩 ,  姜宁

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及过渡金属二硫族化合物和石墨烯场效应晶体管。本发明的过渡金属二硫族化合物纳米球，边缘规则紧凑，颗粒分布显示出均匀分布的特征，可以用其激发波长控制场效应晶体管，同时与石墨烯场效应晶体管中石墨烯点电极间稳定连接，保障了过渡金属二硫族化合物纳米球和石墨烯场效应晶体管的稳定性。石墨烯的零带隙和非线性反应特性一直限制着其实际应用，过渡金属二硫族化合物具有宽带非线性光学响应，在超快光学开关方面具有很大的潜力，可以有效地改进石墨烯场效应晶体管。