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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110545654A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910951799.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 南开大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法。制备步骤：首先在金属基底上通过化学气相沉积法在其表面生长石墨烯；然后在生长有石墨烯的金属基底上涂覆一层转移媒介；接着将金属基底用刻蚀液去除，剩下转移媒介支撑的石墨烯；之后在聚合物基底上沉积一层金属薄膜；然后将转移媒介支撑的石墨烯转移到聚合物基底上沉积的金属薄膜上，并将支撑石墨烯的转移媒介去除；接着交替重复以上金属薄膜的沉积和石墨烯的转移步骤，以得到层层组装的金属/石墨烯复合材料。本发明的金属/石墨烯层层组装太赫兹屏蔽材料厚度小、屏蔽效能高、柔性良好、稳定性高，在微电子器件和柔性电子设备的太赫兹屏蔽领域内具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN112591718A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110035291.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。包括以下步骤：1）Fe3GeTe2晶体于液相介质中研磨；2）将研磨混合物转移到一定量同种液相介质中加热搅拌；3）将搅拌混合物进行超声处理；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe2二维纳米片粉末。本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，主要集中在单层、少层和多层范围；4）可制备得到尺寸可控的Fe3GeTe2纳米片，尺寸为纳米至微米级；5）制备得到的Fe3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
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公开(公告)号：CN110684221A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910951798.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种多响应快速高效功能化石墨烯基自修复薄膜材料的制备方法。该材料是由具有四个呋喃环的FGE-EDR(缩水甘油糠醚和聚醚胺聚合得到)，两个马来酰亚胺基团的4,4'-双马来酰亚胺基二苯基甲烷（MDPB），以及功能化石墨烯（FGO）通过Diels-Alder反应得到的一种可以在热，红外光，电磁波等刺激下进行自修复的聚合物薄膜材料。本发明制备的自修复聚合物薄膜具有以下特点：（1）具有优异的光，热，电磁波信号响应，光-热转换和电磁-热转换与热传导性能。（2）具有快速高效的自修复性能。（3）可以实现多种方式自修复。本发明所使用的方法简便成熟和原料易得经济，可以减轻或避免由于材料在使用过程中由于失效而导致的安全危害及经济损失。
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公开(公告)号：CN112591718B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110035291.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。包括以下步骤：1）Fe3GeTe2晶体于液相介质中研磨；2）将研磨混合物转移到一定量同种液相介质中加热搅拌；3）将搅拌混合物进行超声处理；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe2二维纳米片粉末。本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，主要集中在单层、少层和多层范围；4）可制备得到尺寸可控的Fe3GeTe2纳米片，尺寸为纳米至微米级；5）制备得到的Fe3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
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公开(公告)号：CN110545654B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910951799.5
申请日：2019-10-09
Applicant: 南开大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种高效、稳定的超薄柔性太赫兹屏蔽材料的制备方法。制备步骤：首先在金属基底上通过化学气相沉积法在其表面生长石墨烯；然后在生长有石墨烯的金属基底上涂覆一层转移媒介；接着将金属基底用刻蚀液去除，剩下转移媒介支撑的石墨烯；之后在聚合物基底上沉积一层金属薄膜；然后将转移媒介支撑的石墨烯转移到聚合物基底上沉积的金属薄膜上，并将支撑石墨烯的转移媒介去除；接着交替重复以上金属薄膜的沉积和石墨烯的转移步骤，以得到层层组装的金属/石墨烯复合材料。本发明的金属/石墨烯层层组装太赫兹屏蔽材料厚度小、屏蔽效能高、柔性良好、稳定性高，在微电子器件和柔性电子设备的太赫兹屏蔽领域内具有广阔前景。
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