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公开(公告)号：CN116751272B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310699898.5
申请日：2023-06-14
Applicant: 南开大学
IPC: C07K14/415 , C12N15/29 , C12N15/113 , C12N15/84 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明涉及基因工程技术领域，特别是涉及NAC079基因在调控水稻抗纹枯病中的应用。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术，对受体水稻中的NAC079基因进行编辑，获得NAC079敲除的转基因植株nac079。同时通过过表达转基因技术获得NAC079过表达转基因植株NAC079OX。按照水稻纹枯病抗性活体叶鞘鉴定技术规程，通过接种纹枯病菌(Rhizoctoniasolani)AG1‑IA进行抗性鉴定发现，与野生型水稻相比，nac079植株更加抗病，NAC079OX植株则更加感病。证实了NAC079基因与水稻对纹枯病的抗性相关，可用于创制水稻纹枯病抗性新种质。
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公开(公告)号：CN119461340B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411707393.X
申请日：2024-11-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请公开了一种γ‑石墨单炔纳米片及其制备方法，属于二维碳材料制备技术领域。本申请提供的制备方法包括：以卤代苯为反应单体，加入催化剂经偶联反应后，得到γ‑石墨单炔晶体粉末；将所述γ‑石墨单炔晶体粉末与液态金属混合，复合于导电基底上，制成工作电极；将所述工作电极、对电极、参比电极和电解液组装三电极电化学体系进行电化学剥离，分离收集沉淀，即得所述γ‑石墨单炔纳米片。本申请首次实现高质量γ‑石墨单炔纳米片的成功剥离制备，且制成的γ‑石墨单炔纳米片的尺寸为纳米至微米级，纯度高且结构平整均匀，同时，在空气环境中具有优异的稳定性，在催化、半导体、电子、能源、环境等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119798314A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510003204.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种β‑羟基二硫代磷酸酯类化合物及其制备方法和应用，属于药物化学技术领域。本发明提供了β‑羟基二硫代磷酸酯类化合物的具体化学结构。本发明提供的化合物利用其结构和基团可以与糖转运蛋白的结合，抑制糖转运蛋白的活性，有效提高化合物抑菌性能，且可作用于多种病菌；本发明的化合物对稻瘟病菌、水稻纹枯病菌、玉米穗腐病菌、玉米大斑病菌、烟草野火病菌、烟草角斑病菌、水稻白叶枯病菌和大白菜软腐病菌均具有良好的抑菌性能，具有广谱抑菌性，同时对水稻植株具有促生作用。
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公开(公告)号：CN119461340A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411707393.X
申请日：2024-11-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请公开了一种γ‑石墨单炔纳米片及其制备方法，属于二维碳材料制备技术领域。本申请提供的制备方法包括：以卤代苯为反应单体，加入催化剂经偶联反应后，得到γ‑石墨单炔晶体粉末；将所述γ‑石墨单炔晶体粉末与液态金属混合，复合于导电基底上，制成工作电极；将所述工作电极、对电极、参比电极和电解液组装三电极电化学体系进行电化学剥离，分离收集沉淀，即得所述γ‑石墨单炔纳米片。本申请首次实现高质量γ‑石墨单炔纳米片的成功剥离制备，且制成的γ‑石墨单炔纳米片的尺寸为纳米至微米级，纯度高且结构平整均匀，同时，在空气环境中具有优异的稳定性，在催化、半导体、电子、能源、环境等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116751272A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310699898.5
申请日：2023-06-14
Applicant: 南开大学
IPC: C07K14/415 , C12N15/29 , C12N15/113 , C12N15/84 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明涉及基因工程技术领域，特别是涉及NAC079基因在调控水稻抗纹枯病中的应用。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术，对受体水稻中的NAC079基因进行编辑，获得NAC079敲除的转基因植株nac079。同时通过过表达转基因技术获得NAC079过表达转基因植株NAC079OX。按照水稻纹枯病抗性活体叶鞘鉴定技术规程，通过接种纹枯病菌(Rhizoctoniasolani)AG1‑IA进行抗性鉴定发现，与野生型水稻相比，nac079植株更加抗病，NAC079OX植株则更加感病。证实了NAC079基因与水稻对纹枯病的抗性相关，可用于创制水稻纹枯病抗性新种质。
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公开(公告)号：CN112591718A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202110035291.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。包括以下步骤：1）Fe3GeTe2晶体于液相介质中研磨；2）将研磨混合物转移到一定量同种液相介质中加热搅拌；3）将搅拌混合物进行超声处理；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe2二维纳米片粉末。本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，主要集中在单层、少层和多层范围；4）可制备得到尺寸可控的Fe3GeTe2纳米片，尺寸为纳米至微米级；5）制备得到的Fe3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
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公开(公告)号：CN112591718B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110035291.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。包括以下步骤：1）Fe3GeTe2晶体于液相介质中研磨；2）将研磨混合物转移到一定量同种液相介质中加热搅拌；3）将搅拌混合物进行超声处理；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe2二维纳米片粉末。本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，主要集中在单层、少层和多层范围；4）可制备得到尺寸可控的Fe3GeTe2纳米片，尺寸为纳米至微米级；5）制备得到的Fe3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
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