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公开(公告)号:CN119852173A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202510002431.X
申请日:2025-01-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/225 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供一种平整飞秒激光过饱和掺杂装置、方法及探测器的制备方法,属于光电技术领域,包括依次设置的飞秒激光器、电光快门、第二半波片、第二格兰泰勒棱镜、聚焦透镜和密闭加工腔,通过使用热蒸镀法在硅表面镀硫膜作掺杂剂,并使用电光快门精确控制加工脉冲数量,实现任意脉冲数加工,抑制了表面能量局域化和孵化效应等带来的不可控随机影响。本发明制备的平整过饱和掺杂硅材料表面与现代半导体工业技术相兼容,利于开发硅基系列光电器件,促进CCD与CMOS等焦平面器件的发展。此外,本发明制备的平整过饱和掺杂硅探测器在350~1200nm波段的光响应度超过了1A/W,同时实现了紫外增强和亚带隙红外探测。
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公开(公告)号:CN119789579A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202510031823.9
申请日:2025-01-09
Applicant: 南开大学
IPC: H10F71/00 , H10F30/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供一种高均匀飞秒激光过饱和掺杂装置、方法及高性能探测器,属于光电技术领域,包括依次设置的飞秒激光器、多脉冲生成装置、快门、半波片、格兰泰勒棱镜、加工透镜和分光装置,分光装置将激光脉冲引入到脉冲探测系统的探测光路或引入密闭加工腔的加工光路实施材料改性加工。本发明将飞秒激光每周期内的单个脉冲分裂为多个子脉冲,并通过调控色散改变子脉冲的瞬态时域细节,从而对过饱和掺杂材料的物理过程进行精细调控,提升了飞秒激光过饱和掺杂材料改性的均匀性,并基于此方法使飞秒激光改性光电探测器暗电流水平降低了两个数量级,极大地提升了光电探测器的性能。
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