公开(公告)号：CN113983948A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111243834.1

申请日：2021-10-25

Applicant: 南华大学

Inventor： 邱长军 ,  陈勇 ,  贺阳 ,  龙海川 ,  刘豪 ,  李育森 ,  邓新

IPC: G01B11/22

Abstract: 托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法，涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统，包括真空装置、刻蚀装置和观测装置；真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规；刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法，步骤如下：预处理；离子注入；获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况；激光刻蚀；计算激光刻蚀深度；获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况；建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定，为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。

公开(公告)号：CN113983948B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202111243834.1

申请日：2021-10-25

Applicant: 南华大学

Inventor： 邱长军 ,  陈勇 ,  贺阳 ,  龙海川 ,  刘豪 ,  李育森 ,  邓新

IPC: G01B11/22

Abstract: 托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法，涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统，包括真空装置、刻蚀装置和观测装置；真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规；刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法，步骤如下：预处理；离子注入；获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况；激光刻蚀；计算激光刻蚀深度；获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况；建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定，为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。