公开(公告)号：CN112750911A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202110147388.8

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  赵生平 ,  秦亦韬 ,  姚翊锋 ,  郭宇锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种三向电场可控的LDMOS，包括半导体衬底、埋层、有源区，所述有源区包括半导体漏区、条形半导体漂移区和半导体阱区，所述半导体漏区位于条形半导体漂移区一侧台阶处的上方，所述半导体阱区位于条形半导体漂移区的另一侧；三向控制电极，位于条形半导体漂移区的两侧及表面，所述三向控制电极与条形半导体漂移区之间为介质层；三栅电极，位于沟道区的两侧及顶部，形成三栅结构。本发明还公开了一种三向电场可控的LDMOS制备方法。本发明设置三向控制电极，能够获得较高的击穿电压，有效降低LDMOS的导通电阻；设置三栅电极，提供了良好的沟道控制能力，降低器件关闭时的漏电流，并抑制短沟道效应，大大降低阈值电压的迟滞。

公开(公告)号：CN112750911B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202110147388.8

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  赵生平 ,  秦亦韬 ,  姚翊锋 ,  郭宇锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种三向电场可控的LDMOS，包括半导体衬底、埋层、有源区，所述有源区包括半导体漏区、条形半导体漂移区和半导体阱区，所述半导体漏区位于条形半导体漂移区一侧台阶处的上方，所述半导体阱区位于条形半导体漂移区的另一侧；三向控制电极，位于条形半导体漂移区的两侧及表面，所述三向控制电极与条形半导体漂移区之间为介质层；三栅电极，位于沟道区的两侧及顶部，形成三栅结构。本发明还公开了一种三向电场可控的LDMOS制备方法。本发明设置三向控制电极，能够获得较高的击穿电压，有效降低LDMOS的导通电阻；设置三栅电极，提供了良好的沟道控制能力，降低器件关闭时的漏电流，并抑制短沟道效应，大大降低阈值电压的迟滞。