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公开(公告)号:CN110045260A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910265898.8
申请日:2019-04-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件虚拟测试平台及半导体器件虚拟测试方法,用于对半导体器件进行电学性能测试,所述半导体器件虚拟测试平台包括运用VI技术开发的虚拟测试程序及虚拟测试界面,所述虚拟测试程序包括:数据输入及存储模块,测试程序运行模块,测试结果显示模块,参数提取模块及停止模块。本发明通过联合TCAD和VI技术,构建半导体器件并编译不同半导体器件的不同电学性能测试程序,无需配备昂贵的测试仪器,节省实验成本,而且所述半导体器件虚拟测试平台简单易懂,操作方便。