公开(公告)号：CN119968000A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510112748.9

申请日：2025-01-24

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张珺 ,  赵子强 ,  刘焘榕 ,  顾轩宇 ,  敬傲伟 ,  杨袁 ,  常恒典 ,  林昊南 ,  郭宇锋 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  杨可萌 ,  张茂林

IPC: H10K10/84 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，具体的是涉及一种基于横向层掺杂的共聚物有机场效应晶体管，通过引入电极修饰层，改善了电极‑半导体界面态，减少了界面陷阱数量，有效地抑制电学性能的变化，并实现了对偏置应力效应所造成不良影响的显著缓解，提高共聚物有机场效应晶体管的可靠性，本发明提供的方案能够在兼容原有工艺流程的基础上增强有机场效应晶体管长期工作的稳定性，使得器件在实际应用中具有更好的性能保持和更长的使用寿命。

公开(公告)号：CN119947389A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510074868.4

申请日：2025-01-17

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 张珺 ,  刘焘榕 ,  赵子强 ,  敬傲伟 ,  杨袁 ,  常恒典 ,  林昊南 ,  郭宇锋 ,  姚佳飞 ,  陈静 ,  杨可萌 ,  张茂林

IPC: H10K10/29 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K10/82 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种双向导通的纵向结构二极管及其制备方法，本发明提供的二极管具备阳极、阴极和有机‑无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT‑TT溶液涂覆形成的DPPT‑TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入1019(cm‑3)磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片。通过引入新的隧道复合电流模式，增强了电荷输运能力。这种新型的异质结结构有效改善了载流子在电极处的注入和传输过程，显著降低了接触电阻。这种电极修饰方案不仅可以提高器件的导电性，还能改善整体的能量传输效率。