公开(公告)号：CN117457052A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311540894.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 谭淼 ,  张瑛 ,  童祎 ,  张缪城 ,  魏仡昕 ,  安欣悦 ,  韦建富

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种用于提高RRAM存储器件及RRAM存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法，包括FPGA、数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)及外围电路；所述算法的基本原理是使RRAM器件两端产生电压降，从而使RRAM的阻态发生变化；算法所施加在RRAM两端的电压值由低到高依次递增，直到数据写入正确；每个写脉冲之间有一个读脉冲，用于验证写数据的结果，从而提高写数据的可靠性；所述算法的电路实现方法基于FPGA、数模转换器、模数转换器及外围电路。本发明提出的算法可以提高RRAM写数据的可靠性，由于FPGA的硬件可编程特点，可以针对不同的RRAM器件产生合适的读写脉冲，较为灵活，便于科研测试以及产业化应用。

公开(公告)号：CN115964971A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211739344.5

申请日：2022-12-31

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 但荣辉 ,  魏仡昕 ,  刘城 ,  戎焕焕 ,  丁子轩 ,  贺林 ,  童祎

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电忆阻器的逻辑电路的实现方法，目的在于将高性能的铁电忆阻器应用到逻辑运算中。该方法将铁电忆阻器的伏安特性进行数据拟合，以建立具有铁电忆阻器特性的器件模型，然后通过Cadence Virtuoso工具设计出基于铁电忆阻器的与门、或门、减法器、加法器和比较器一系列基本逻辑电路，并对各个电路进行仿真验证本发明的可靠性。本发明意在将低功耗、快读写速度、耐久性好的铁电忆阻器器件运用到逻辑运算中，具有广阔的前景。