-
公开(公告)号：CN111799377B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010551301.9
申请日：2020-06-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜。本发明的卤化物钙钛矿薄膜具有晶粒尺寸增加、结晶性增强、晶体取向可调控的特点。基于本发明可制得性能较高且稳定性较好的钙钛矿光电器件。
-
公开(公告)号：CN111799377A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010551301.9
申请日：2020-06-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于含氯化合物调节钙钛矿晶体取向提升钙钛矿光电器件性能的方法，向钙钛矿材料中掺杂含氯化合物，制得卤化物钙钛矿薄膜。本发明的卤化物钙钛矿薄膜具有晶粒尺寸增加、结晶性增强、晶体取向可调控的特点。基于本发明可制得性能较高且稳定性较好的钙钛矿光电器件。
-
公开(公告)号：CN111777522B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010488920.8
申请日：2020-06-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种多位点氨基酸钝化材料，其特征在于：所述多位点氨基酸钝化材料包括一个烷基链段，所述烷基链段包含一个官能团（A）、一个官能团（B）和至少一个官能团（C），所述官能团（A）为氨基，所述官能团（B）为羧基，所述官能团（C）为氨基、巯基、羟基、咪唑、脂基、酰胺、硝基、醛基、芳基、氰基、磺酸基中的至少一个。本发明提供的多位点氨基酸钝化材料可充当电子供体或电子受体，与钙钛矿材料的带电缺陷相互作用，对钙钛矿材料的表面或晶界具有良好的钝化效果。
-
公开(公告)号：CN111777522A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010488920.8
申请日：2020-06-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种多位点氨基酸钝化材料，其特征在于：所述多位点氨基酸钝化材料包括一个烷基链段，所述烷基链段包含一个官能团（A）、一个官能团（B）和至少一个官能团（C），所述官能团（A）为氨基，所述官能团（B）为羧基，所述官能团（C）为氨基、巯基、羟基、咪唑、脂基、酰胺、硝基、醛基、芳基、氰基、磺酸基中的至少一个。本发明提供的多位点氨基酸钝化材料可充当电子供体或电子受体，与钙钛矿材料的带电缺陷相互作用，对钙钛矿材料的表面或晶界具有良好的钝化效果。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
