公开(公告)号：CN117580431A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311536161.8

申请日：2023-11-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 马荣谦 ,  谢明星 ,  陈绍强 ,  宋卫东 ,  李佳慧 ,  谢燕楠

IPC: H10N30/092 ,  C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/20 ,  H10N30/85 ,  H10N30/20 ,  H10N30/87 ,  H10N30/00

Abstract: 本发明属于柔性致动器领域，具体涉及采用磁控溅射制备IPMC致动器薄膜的方法；将经过预处理的Nafion膜放入溅射仪的腔室中；在室温下进行偏压清洗，使腔室内处于惰性气体环境；清洗结束后开始预溅射，靶材使用导电金属电极；预溅射结束后，采用直流溅射在Nafion膜的表面形成金属电极层；溅射结束后将样品翻面，重复溅射步骤，最后得到IPMC致动器薄膜；本方法可以更快速的制备致动器件且原材料成本更低，柔性致动器致动性能得到提高，具有快速电响应性能，通过对质子交换膜(Nafion)表面做预处理，增强了金属电极的结合力度，提高了其力学性能和使用寿命。

公开(公告)号：CN119685774A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411882036.7

申请日：2024-12-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李佳慧 ,  陈绍强 ,  张阳 ,  兰涛 ,  展烨栋 ,  谢燕楠

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/20 ,  C23C14/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H02N1/04

Abstract: 本发明属于微结构技术领域，公开一种ALD修饰纳米微结构薄膜的制备方法和应用，所述方法包括：采用磁控溅射法，在PTFE薄膜表面形成Ag原子层，作为刻蚀的掩膜板；采用ICP反应离子刻蚀法将等离子体吹过掩膜板表面，形成纳米柱形貌；交替使用第一前驱体Al2(CH3)3和第二前驱体H2O，在得到的PTFE的表面化学吸附并反应形成AlOx绝缘层，x的范围为1‑2，最终得到ALD修饰纳米微结构薄膜，该方法制备得到薄膜具有微结构，电子在微结构尖端的分布使得在同一平面上的电荷有效面积减小，降低了相对极化场强，增强了摩擦纳米发电机的性能。