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公开(公告)号：CN116190211A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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公开(公告)号：CN118145593A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116190211B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310451636.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种基于纳米微腔结构衬底转移二维材料的方法，属于二维材料转移技术领域。具体包括如下步骤：先制备PDMS/载玻片结构；再利用机械剥离的方法将二维材料转移到PDMS表面，剪掉多余的PDMS薄膜；接着利用纳米压印技术和等离子刻蚀工艺制备具有纳米微腔结构的目标衬底；最后通过控制转移平台的速度，在“慢放快起”的操作原则指导下将二维材料成功贴合到目标衬底上。利用该方法进行二维材料的转移可减少二维材料表面残胶及界面处的气泡，得到均匀、干净的高质量二维材料，且制备过程对二维材料无损伤，高效实现了二维材料和微纳结构材料的结合，可有效拓宽二维材料的应用前景。
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公开(公告)号：CN119584698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411876263.9
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及电学器件的光电探测器结构领域，公开了一种六方氮化硼封装二维金属硫化物的光电探测器及制备方法。六方氮化硼h‑BN提供的化学惰性表面不仅有效防止环境降解，还能够改善二维金属硫化物材料与基材之间的界面质量，显著减少了因传统基材表面粗糙度和缺陷所导致的电荷散射，从而实现更高效的电荷传输。实验结果表明，h‑BN/MoS2/h‑BN封装带来的原子光滑表面在很大程度上促进了电荷载流子的高效传输，显著增强了二维金属硫化物材料的光电性能。通过消除衬底引起的表面粗糙度并最大限度减少缺陷状态，h‑BN有效降低了电荷载流子散射，进一步增强了响应性和光电流测量。h‑BN封装还对抑制激子湮灭起到了关键作用，对于改善光电性能至关重要。
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公开(公告)号：CN118145593B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410566775.9
申请日：2024-05-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 基于软纳米压印的TMDC材料图案化方法，根据TMDC二维材料的厚度调整SF6气体刻蚀时间，能够自由调控纳米图案深度，实现不同光学性能需求的适配；针对性的优化RIE电子束刻蚀工艺实现了大面积的样品制备，能够实现TMDC二维材料全面积图案化；极大优化了工艺过程，提升了科研生产效率，降低了工艺成本；在与光电器件集成时，本方法使用氧化硅片作为衬底时，需先使用RIE等离子刻蚀机通入O2 5s处理氧化硅片表面，增加其亲水性，使得SU8旋涂的更加均匀；本方法对不同厚度、种类的TMDC具有普适性。
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公开(公告)号：CN117858520B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410257498.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请通过机械剥离的方法将少层二维材料转移至衬底上作为基材，通过PDMS将少层二维合金材料转移至基材上的二维材料一侧，再将基材放入管式炉中，通过控制加热温度和时间准确的在二维合金材料上外延生长单层有机分子层形成异质结，最后将金薄膜转移至有机分子层上即制得光电探测器。范德华外延生长的有机分子层与二维合金材料形成的异质结缺陷较少，能增强光吸收且不会导致载流子被捕获，使得光电探测器具有出色的检测能力，大的光吸收和光电导增益，以及快的响应速度，能够在较弱的光下实现高帧率的快速成像，在成像领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117858520A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410257498.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种二维有机/无机异质结光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。本申请通过机械剥离的方法将少层二维材料转移至衬底上作为基材，通过PDMS将少层二维合金材料转移至基材上的二维材料一侧，再将基材放入管式炉中，通过控制加热温度和时间准确的在二维合金材料上外延生长单层有机分子层形成异质结，最后将金薄膜转移至有机分子层上即制得光电探测器。范德华外延生长的有机分子层与二维合金材料形成的异质结缺陷较少，能增强光吸收且不会导致载流子被捕获，使得光电探测器具有出色的检测能力，大的光吸收和光电导增益，以及快的响应速度，能够在较弱的光下实现高帧率的快速成像，在成像领域具有广阔的应用前景。
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