一种判断共轭芳香烃分子中存在π-π超共轭效应的方法

    公开(公告)号:CN106769968B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201710010093.X

    申请日:2017-01-06

    Abstract: 一种判断共轭芳香烃分子中存在π‑π超共轭效应的方法,涉及有机光电子领域。包括以下步骤:选择对照材料;测试目标材料及对照材料的UV光谱图;对实验所得UV光谱图进行分析,如果主共轭体系所对应的吸收峰峰形发生了变化,并且吸收峰的个数多于其分子中共轭体系的个数,则说明该目标材料具有π‑π超共轭效应,反之,则无。在共轭芳香烃分子中,将由两个单键将两个π体系连接起来而形成的一种相互作用,称为π‑π超共轭效应。π‑π超共轭效应对材料的载流子传输能力以及分子间的相互作用有重要影响,甚至使材料产生特殊光电特性,所以本发明对研究分析有机光电材料的光电子性能和新型有机发光材料分子结构的设计都有很大的推动和指导作用。

    阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法

    公开(公告)号:CN105548267B

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201610025150.7

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。

    阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法

    公开(公告)号:CN105548267A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610025150.7

    申请日:2016-01-13

    CPC classification number: G01N27/026

    Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。

    一种判断共轭芳香烃分子中存在π‑π超共轭效应的方法

    公开(公告)号:CN106769968A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710010093.X

    申请日:2017-01-06

    Abstract: 一种判断共轭芳香烃分子中存在π‑π超共轭效应的方法,涉及有机光电子领域。包括以下步骤:选择对照材料;测试目标材料及对照材料的UV光谱图;对实验所得UV光谱图进行分析,如果主共轭体系所对应的吸收峰峰形发生了变化,并且吸收峰的个数多于其分子中共轭体系的个数,则说明该目标材料具有π‑π超共轭效应,反之,则无。在共轭芳香烃分子中,将由两个单键将两个π体系连接起来而形成的一种相互作用,称为π‑π超共轭效应。π‑π超共轭效应对材料的载流子传输能力以及分子间的相互作用有重要影响,甚至使材料产生特殊光电特性,所以本发明对研究分析有机光电材料的光电子性能和新型有机发光材料分子结构的设计都有很大的推动和指导作用。

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