公开(公告)号：CN115633532B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211140626.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 许利刚 ,  贾文博 ,  闫冬冬

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/30 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种掺杂SEM‑HCl的钙钛矿活性层及其光伏器件的制备方法，本发明提出的钙钛矿优化结晶策略，基于溶液法制备锡基钙钛矿薄膜，借助盐酸氨基脲(SEM‑HCl)中特殊基团和钙钛矿组分的交联作用，达到调控钙钛矿结晶的目的。本发明与现有技术相比，所制备的钙钛矿活性层晶体的缺陷减小，载流子传输过程中的非辐射复合得到抑制，最终光电转换效率以及器件稳定性有显著的提高。

公开(公告)号：CN115633532A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211140626.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 许利刚 ,  贾文博 ,  闫冬冬

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K85/30 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种掺杂SEM‑HCl的钙钛矿活性层及其光伏器件的制备方法，本发明提出的钙钛矿优化结晶策略，基于溶液法制备锡基钙钛矿薄膜，借助盐酸氨基脲(SEM‑HCl)中特殊基团和钙钛矿组分的交联作用，达到调控钙钛矿结晶的目的。本发明与现有技术相比，所制备的钙钛矿活性层晶体的缺陷减小，载流子传输过程中的非辐射复合得到抑制，最终光电转换效率以及器件稳定性有显著的提高。