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公开(公告)号：CN108441833A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810269246.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。
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公开(公告)号：CN108441833B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810269246.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。
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公开(公告)号：CN109037452A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810727811.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/42 , B82Y30/00 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公开了一种含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒的制备方法，首次使用含硫的有机阳离子合成钙钛矿薄膜，制得的钙钛矿材料具有稳定的六方相晶体结构，在空气中可以稳定存放，该新型含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒材料的结构式为(CH3)3SPbI3，用两步法制备钙钛矿薄膜，通过延长第二步的浸泡时间可以得到具有一维六方相的纳米棒阵列，制备出的含硫杂化钙钛矿纳米棒阵列具有吸收系数高、宽带隙、稳定性高的特性，在太阳能电池和光电探测器等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109037452B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201810727811.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒的制备方法，首次使用含硫的有机阳离子合成钙钛矿薄膜，制得的钙钛矿材料具有稳定的六方相晶体结构，在空气中可以稳定存放，该新型含硫有机无机杂化钙钛矿薄膜及纳米棒材料的结构式为(CH3)3SPbI3，用两步法制备钙钛矿薄膜，通过延长第二步的浸泡时间可以得到具有一维六方相的纳米棒阵列，制备出的含硫杂化钙钛矿纳米棒阵列具有吸收系数高、宽带隙、稳定性高的特性，在太阳能电池和光电探测器等领域具有广阔的应用前景。
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