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公开(公告)号：CN110377097A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910821850.0
申请日：2019-09-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，用于稳定电流模式CMOS集成霍尔传感器输出的霍尔电流，大幅度减弱温度对其的影响。该温度补偿电路包括零温度系数产生电路、零温度系数偏置电流源和温度系数可调电流补偿电路。当CMOS集成霍尔传感器内部的温度发生变化时，通过调整具有相反温度系数的片外可调电阻PTC热敏电阻R+和片外可调NTC热敏电阻R-的阻值，使补偿电流随温度的变化与霍尔器件电流灵敏度随温度的变化相反，从而使霍尔电流不随温度发生改变。
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公开(公告)号：CN110515017A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201911014859.7
申请日：2019-10-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种超高灵敏度磁场传感器，属于磁场探测技术领域，包括N+硅衬底，在N+硅衬底上方形成绝缘体层，在绝缘体层上方形成硅外延层，硅外延层包括设置在中部的N+区和对称设置在外侧的P+区，两个P+区均依次通过对称设置的P-漂移区、P-沟道区与N+区相接；在P-沟道区上方依次设有栅介质层和栅极，在P-漂移区的上方设有场氧化层，以中间的N+区为中心，形成左右镜像对称的器件结构。该器件基于全耗尽SOI（silicon-on-insulator，绝缘体上硅）工艺实现，本发明提出的两个磁场传感器可以组成一个二维磁场传感器，能够对平行于器件平面的二维磁场进行检测。
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公开(公告)号：CN110377097B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910821850.0
申请日：2019-09-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/90
Abstract: 本发明公开了一种应用于电流模式的CMOS集成霍尔传感器温度补偿电路，用于稳定电流模式CMOS集成霍尔传感器输出的霍尔电流，大幅度减弱温度对其的影响。该温度补偿电路包括零温度系数产生电路、零温度系数偏置电流源和温度系数可调电流补偿电路。当CMOS集成霍尔传感器内部的温度发生变化时，通过调整具有相反温度系数的片外可调电阻PTC热敏电阻R+和片外可调NTC热敏电阻R‑的阻值，使补偿电流随温度的变化与霍尔器件电流灵敏度随温度的变化相反，从而使霍尔电流不随温度发生改变。
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公开(公告)号：CN110515017B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911014859.7
申请日：2019-10-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L43/06
Abstract: 本发明公开了一种超高灵敏度磁场传感器，属于磁场探测技术领域，包括N+硅衬底，在N+硅衬底上方形成绝缘体层，在绝缘体层上方形成硅外延层，硅外延层包括设置在中部的N+区和对称设置在外侧的P+区，两个P+区均依次通过对称设置的P‑漂移区、P‑沟道区与N+区相接；在P‑沟道区上方依次设有栅介质层和栅极，在P‑漂移区的上方设有场氧化层，以中间的N+区为中心，形成左右镜像对称的器件结构。该器件基于全耗尽SOI（silicon‑on‑insulator，绝缘体上硅）工艺实现，本发明提出的两个磁场传感器可以组成一个二维磁场传感器，能够对平行于器件平面的二维磁场进行检测。
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