公开(公告)号：CN110544874A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910971616.6

申请日：2019-10-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李连艳 ,  张云山 ,  刘子豪 ,  施跃春 ,  肖如磊 ,  王芳

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/065 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法。采用交错光栅将硅波导中的基模变换为高阶模，使模式的有效折射率降低，从而增大取样光栅滤波器的尺寸，降低了可调谐激光器的制造难度，解决现有的硅基可调谐激光器光栅加工难度大的问题。该方案不仅可用于外腔结构的可调谐激光器，也可用于键合方式的可调谐激光器。共同相位区和支路相位区的共同作用使得激光器的模式更稳定。由于两个取样光栅在增益芯片的同侧，相比于取样光栅在增益芯片异侧的可调谐激光器，可以获得更好的边模抑制比。

公开(公告)号：CN110544874B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910971616.6

申请日：2019-10-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李连艳 ,  张云山 ,  刘子豪 ,  施跃春 ,  肖如磊 ,  王芳

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/065 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供一种基于交错光栅的硅基可调谐激光器及实现方法。采用交错光栅将硅波导中的基模变换为高阶模，使模式的有效折射率降低，从而增大取样光栅滤波器的尺寸，降低了可调谐激光器的制造难度，解决现有的硅基可调谐激光器光栅加工难度大的问题。该方案不仅可用于外腔结构的可调谐激光器，也可用于键合方式的可调谐激光器。共同相位区和支路相位区的共同作用使得激光器的模式更稳定。由于两个取样光栅在增益芯片的同侧，相比于取样光栅在增益芯片异侧的可调谐激光器，可以获得更好的边模抑制比。