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1.

发明公开
一种晶体管存储器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN111276612A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010084379.4

申请日：2020-02-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 , 张琪 , 凌海峰 , 柯蕴芯 , 肖乐 , 徐阳

IPC: H01L51/05 , H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种晶体管存储器及其制备方法，所述的晶体管存储器中的有机有源层包括自下而上设置的第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层，其中所述的三碘合铅酸铯膜的厚度为15-20nm。制备过程如下(1)配置溶液：包括配置制备第一聚合物绝缘层的聚合物溶液A、第二聚合物绝缘层的聚合物溶液B和三碘合铅酸铯溶液；(2)制备晶体管：在完成栅电极和栅绝缘层制作的衬底上采用所配置的相对应的溶液依次制作第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，之后完成有机半导体层和源漏电极的制作。本发明将三碘合铅酸铯引入到有机场效应晶体管存储器中，丰富了有机存储技术的材料选择。

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