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公开(公告)号：CN119020847A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411121483.0
申请日：2024-08-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于新材料制备领域，具体涉及一种CsAg2I3单晶微米线材料的制备方法及应用；所述方法具体步骤为：S1.将CsI和AgI溶于溶剂中得到前驱体溶液；S2.对S1中的得到的前驱体溶液进行提纯；S3.将S2中提纯后的前驱体溶液加入A容器中，并将A容器置于装有反溶剂的B容器中，保温生长得到CsAg2I3单晶微米线。通过控制反应原料的比例和扩散速度等条件调控形核和晶体生长进程，从而实现对单晶微米线的可控生长；本发明制备过程简单、调控工艺高效易操作；在保证单晶高质量的前提下实现了CsAg2I3单晶微米线的超长生长；材料在蓝光探测领域有着巨大应用前景。
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