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公开(公告)号:CN106008558A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610382531.0
申请日:2016-06-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , H01L51/46
CPC classification number: Y02E10/549 , C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1037 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0071
Abstract: 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。
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公开(公告)号:CN106008558B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201610382531.0
申请日:2016-06-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D513/22 , C07D513/04 , C09K11/06 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。
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