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发明公开
一种横向IGBT器件审中-实审

公开(公告)号：CN118763101A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410824883.1

申请日：2024-06-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘宇 , 王想 , 刘妍 , 郭宇锋

IPC: H01L29/739 , H01L29/51

Abstract: 本发明涉及半导体功率器件领域，特别涉及一种横向IGBT器件；本发明在传统CSL‑LIGBT基础上在半导体漂移区层引入了额外的铁电极化栅极，通过铁电材料的非易失性和极化场效应可实现对CSL区载流子浓度的动态调控；通过对铁电极化栅极施加不同的电压，实现对CSL区载流子浓度的实时可编程调节，从而灵活控制器件的电流、电压等多种特性参数，使器件的工作状态可动态优化，全面提升器件性能；本发明创新性地解决了传统LIGBT器件导通特性与开关特性难以兼顾的难题，在功率器件领域具有广阔的应用前景。

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