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公开(公告)号：CN112397314B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011161627.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜电极及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：按一定比例称取半导体纳米材料和透光性材料，在超声的条件下分散于有机溶剂中，获得混合均匀的胶状悬浮液；S2：将悬浮液均匀的涂覆在透明导电基底上，制成厚度均匀的薄膜，之后置于压片机下在1‑100MPa的压力下压制成半透明薄膜，得到具有半透明薄膜的电极。本发明提供了一种操作简单、适用于在常温下且能够大面积制备半透明电极的方法，能够有效的避免能源的浪费，降低制作成本。且所制备的电极能同时适用于DSSC和PEC电池应用中。
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公开(公告)号：CN115083787B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210716977.8
申请日：2022-06-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，并将该电极应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤：S1：首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取一定量的金属源，溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：将S2制备的溶液滴涂、旋涂或浸涂在S1制备的薄膜上；S4：在S3基础上进行氧等离子体（plasma）处理。本发明提供了一种操作简单、制备时间短、可大规模生产的超薄氧化物薄膜的制备方法，而且该超薄氧化物薄膜可以大幅提升光电化学（PEC）分解水性能，降低光催化产氢产氧成本，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115083787A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210716977.8
申请日：2022-06-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法，并将该电极应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤：S1：首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜；S2：取一定量的金属源，溶于溶剂中，配制成为前驱溶液；S3：将S2制备的溶液滴涂、旋涂或浸涂在S1制备的薄膜上；S4：在S3基础上进行氧等离子体（plasma）处理。本发明提供了一种操作简单、制备时间短、可大规模生产的超薄氧化物薄膜的制备方法，而且该超薄氧化物薄膜可以大幅提升光电化学（PEC）分解水性能，降低光催化产氢产氧成本，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112397314A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011161627.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜电极及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：按一定比例称取半导体纳米材料和透光性材料，在超声的条件下分散于有机溶剂中，获得混合均匀的胶状悬浮液；S2：将悬浮液均匀的涂覆在透明导电基底上，制成厚度均匀的薄膜，之后置于压片机下在1‑100MPa的压力下压制成半透明薄膜，得到具有半透明薄膜的电极。本发明提供了一种操作简单、适用于在常温下且能够大面积制备半透明电极的方法，能够有效的避免能源的浪费，降低制作成本。且所制备的电极能同时适用于DSSC和PEC电池应用中。
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