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公开(公告)号：CN113285017B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110442700.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN113285017A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110442700.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN113257994A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110460411.9
申请日：2021-04-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于TI/FM结构的新型多层钇铁石榴石倾斜磁隧道结存储器件，该磁隧道结存储器从上到下包括种子层，反铁磁层，上铁磁层，隧穿层，下铁磁层和导电层。在MTJ核心结构中的上铁磁层、隧穿层和下铁磁层间形成楔形倾斜，产生Rashba效应，使磁矩更容易翻转，从而提高自旋轨道转矩效率。使用了新型YIG/Bi2Se3这种TI/FM结构，由于YIG/Bi2Se3具有较低的临界电流密度和较高的自旋霍尔角，在相同直流工作电压下相比基于巨磁阻效应的传统单铁磁结构的存储器结构消耗更小，切换TI/FM结构的预期临界电流也比基于SHE的预期临界电流要低得多。因此，本发明的TI/FM磁隧道结存储器件结构具有非常好的能量性能。
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