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发明公开
一种低阈值的量子点激光器及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN119994640A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510466877.8

申请日：2025-04-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨浩然 , 廖晨 , 施伟华

IPC: H01S5/34 , H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种低阈值的量子点激光器及其制备方法，包括依次堆叠的石英基板、二氧化硅周期光栅、量子点层、二氧化硅保护层。量子点层由密堆的直径为4.8nm~6.6nm的硒化汞量子点、直径为4nm~5.2nm的硫化汞量子点、有效激子直径为4.8nm~6.4nm的硒化汞/硒化镉汞/硒化镉的核/合金/壳结构的量子点或有效激子直径为4nm~5nm的硫化汞/硫化镉汞/硫化镉的核/合金/壳结构的量子点组成。本发明通过控制量子点的尺寸来实现量子点中环境稳定的电子掺杂，以掺杂量子点作为激光器的增益介质，进而实现低增益阈值、低激光阈值、连续激光输出可持续以及输出波长可设计。

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