公开(公告)号：CN116399918A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310510114.X

申请日：2023-05-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐超 ,  王程 ,  徐慧 ,  李液液 ,  赖文勇 ,  叶尚辉

IPC: G01N27/24 ,  G01Q60/24 ,  G01N27/02

Abstract: 本发明涉及聚合物电子学领域，具体地说，是一种半导体二极管器件不同薄膜位置处缺陷态密度测试方法，包括如下步骤：实验制作聚合物二极管器件；用原子力显微镜分析样品；采用Chi660e电化学工作站测量样品的阻抗；通过阻抗数据，绘制C‑F图，并对C‑F图进行二次项拟合，获得拟合系数，将拟合数据代入方程，求得此半导体器件的深能级缺陷态。本发明可以通过此方法在电化学工作站测量一种聚合物半导体器件的深能级缺陷态，对于研究不同材料构成的聚合物二极管器件的缺陷态分析有很大的指导意义，研究对象包括但不限于聚合物半导体。

公开(公告)号：CN118146173A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410276403.2

申请日：2024-03-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李液液 ,  徐慧 ,  唐超 ,  汪乔宇 ,  李东东 ,  赖文勇

IPC: C07D271/107 ,  H10K50/16 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及有机半导体材料技术领域，公开了有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料及其制备方法和应用；有机氘代恶二唑衍生物半导体电子传输材料以4‑(叔丁基)[D4]‑苯并肼或4‑(叔丁基)苯并肼与2‑([D9]‑[1,1’联苯]‑4‑基)‑2‑氧乙酸为原料通过电化学合成2‑(4’‑叔丁基‑[D4]‑苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑或2‑(4’‑叔丁基苯)‑5‑([D9]‑4’联苯基)‑1,3,4‑恶二唑；将它们掺杂制备的器件在载流子迁移率和使用寿命方面有着优异的表现性质；可以在不需要金属催化剂、外部氧化剂或碱的条件下合成。

公开(公告)号：CN114437118A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210092522.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 唐超 ,  杨知遥 ,  王程 ,  董闵生 ,  李液液 ,  赖文勇

IPC: C07F5/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种噻吩基菲咯啉铕(Ⅲ)配合物材料及其制备方法和应用，所述材料为含有噻吩基团的中性菲咯啉配体与β‑二酮衍生物二苯甲酰基甲烷的铕(Ⅲ)配合物材料，具有如式(Ⅰ)所示的结构式。采用Suzuki偶联反应合成了1,10‑菲咯啉衍生物配体3,8‑二(噻吩‑2‑基)‑1,10‑菲罗啉，并与β‑二酮衍生物二苯甲酰基甲烷作为辅助配体合成四元铕(III)配合物Eu(DBM)3PhenThi2。该配合物引入了具有杂原子S元素的噻吩集团，探索杂原子对有机金属配合物发光和电荷传输性能的影响。由该材料掺杂制备的器件在发光效率、化学稳定性、载流子迁移率等方面有着优异的表现。