-
公开(公告)号：CN116009134B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202310086386.1
申请日：2023-02-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光学元件技术领域，具体公开了一种钙钛矿纳米晶荧光型太阳能集光器，所述集光器包括荧光层、位于所述荧光层顶部的带阻滤光片、位于所述荧光层内部底表面的银纳米线阵列、位于所述荧光层下方的耦合层与最底层的玻璃衬底；本发明利用荧光层上方的带阻滤光片反射荧光光子，减少顶部荧光泄漏，大幅降低了表面逃逸锥损耗；利用荧光层内部底表面的银纳米线阵列将散射效应与表面等离子体共振效应引入荧光层，并与带阻滤光片引起法布里珀罗驻波共振，提升了钙钛矿纳米晶荧光层的吸收；利用银纳米线阵列下方的耦合层将荧光光子提取至玻璃衬底，降低了荧光被其他纳米晶二次吸收的几率，重吸收损耗得到有效抑制。
-
公开(公告)号：CN115148417B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202210788979.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线导电薄膜的制备方法，属于柔性电子材料与薄膜技术领域，该方法主要采用了一种柔软的尼龙滤布材料作为刷涂介质，采用银纳米线与聚合物的混合溶液作为刷涂墨水来进行薄膜的制备。本发明的优点是：(1)操作简便高效、对设备要求低，易于实现；(2)制备周期短、制备步骤简单，材料利用率高，制备成本低，薄膜重复性好；(3)制备的薄膜不存在团聚现象，薄膜能够保持良好的形貌与性能；(4)可以实现大面积化制备，可兼容不同类型衬底；(5)制备的导电薄膜透过率较高，方阻均匀，适用于制备高性能导电薄膜。
-
公开(公告)号：CN116009134A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310086386.1
申请日：2023-02-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光学元件技术领域，具体公开了一种钙钛矿纳米晶荧光型太阳能集光器，所述集光器包括荧光层、位于所述荧光层顶部的带阻滤光片、位于所述荧光层内部底表面的银纳米线阵列、位于所述荧光层下方的耦合层与最底层的玻璃衬底；本发明利用荧光层上方的带阻滤光片反射荧光光子，减少顶部荧光泄漏，大幅降低了表面逃逸锥损耗；利用荧光层内部底表面的银纳米线阵列将散射效应与表面等离子体共振效应引入荧光层，并与带阻滤光片引起法布里珀罗驻波共振，提升了钙钛矿纳米晶荧光层的吸收；利用银纳米线阵列下方的耦合层将荧光光子提取至玻璃衬底，降低了荧光被其他纳米晶二次吸收的几率，重吸收损耗得到有效抑制。
-
公开(公告)号：CN115148417A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210788979.8
申请日：2022-07-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米线导电薄膜的制备方法，属于柔性电子材料与薄膜技术领域，该方法主要采用了一种柔软的尼龙滤布材料作为刷涂介质，采用银纳米线与聚合物的混合溶液作为刷涂墨水来进行薄膜的制备。本发明的优点是：(1)操作简便高效、对设备要求低，易于实现；(2)制备周期短、制备步骤简单，材料利用率高，制备成本低，薄膜重复性好；(3)制备的薄膜不存在团聚现象，薄膜能够保持良好的形貌与性能；(4)可以实现大面积化制备，可兼容不同类型衬底；(5)制备的导电薄膜透过率较高，方阻均匀，适用于制备高性能导电薄膜。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
