公开(公告)号：CN113206202A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110523035.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 曾文进 ,  张雪敬 ,  闵永刚 ,  夏瑞东 ,  叶茹 ,  袁超超

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开一种以三聚氰胺作添加剂改善电池吸光层的方法，首先将碘化锡、甲酰胺、三聚氰胺和氟化锡按比例溶在DMF和DMSO的混合溶剂中制成前驱体溶液，再将前驱体溶液旋涂到空穴传输层上，旋涂时间为30 s，在旋涂12 s时滴涂反溶剂氯苯，之后再进行退火处理即可得到吸光层。三聚氰胺本身所具备的还原性能，可抑制Sn2+氧化为Sn4+，减少Sn空位的形成，防止钙钛矿薄膜表面针孔等缺陷的产生，有助于改善钙钛矿薄膜的表面形貌，提高电池的功率转换效率；且其化学结构中的氮离子存在孤对电子，可以与Sn2+形成配位键，减缓控制钙钛矿形成过程中的结晶速率，使钙钛矿薄膜覆盖更加均匀致密，电池的效率和稳定性都得到提升。

公开(公告)号：CN113206202B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202110523035.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 曾文进 ,  张雪敬 ,  闵永刚 ,  夏瑞东 ,  叶茹 ,  袁超超

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明公开一种以三聚氰胺作添加剂改善电池吸光层的方法，首先将碘化锡、甲酰胺、三聚氰胺和氟化锡按比例溶在DMF和DMSO的混合溶剂中制成前驱体溶液，再将前驱体溶液旋涂到空穴传输层上，旋涂时间为30 s，在旋涂12 s时滴涂反溶剂氯苯，之后再进行退火处理即可得到吸光层。三聚氰胺本身所具备的还原性能，可抑制Sn2+氧化为Sn4+，减少Sn空位的形成，防止钙钛矿薄膜表面针孔等缺陷的产生，有助于改善钙钛矿薄膜的表面形貌，提高电池的功率转换效率；且其化学结构中的氮离子存在孤对电子，可以与Sn2+形成配位键，减缓控制钙钛矿形成过程中的结晶速率，使钙钛矿薄膜覆盖更加均匀致密，电池的效率和稳定性都得到提升。