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公开(公告)号：CN108423642A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810300486.9
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片的制备方法，以过渡金属硫族化合物的块体粉末为原料，以高分子作为助剂，通过高分子辅助球磨制备出不同尺寸、不同成分的过渡金属硫族化合物二维纳米片，包括3个步骤：高分子和高分子辅助球磨制备块体粉末的称取；球磨剥离和加水混匀取出；梯度离心获得不同尺寸产物，纯化除去多余的高分子。本发明解决了当前小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片制备方法中存在的产率低、形貌不均一、工艺复杂等问题，具有产率高、工艺简单、通用性强、过程易控制,等优点。通过本发明所制备的小尺寸的过渡金属硫族化合物二维纳米片可以应用于不用的领域，诸如催化、光电及生物医学领域等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105129748B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510524126.3
申请日：2015-08-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种制备过渡金属硫族化合物量子点的方法，属胶体化学法制备功能纳米材料领域。本发明包括如下步骤：将金属羰基化合物和三辛基氧膦混合，加热溶解作为金属源前体，以十八烯为反应溶剂，在惰性气体保护下加热至反应温度，准备好金属源反应体系；以有机膦为配位溶剂，将非金属源硫粉、硒粉或碲粉制成前体溶液；将非金属源溶液注射入惰性气体保护下的金属源反应体系，保持反应温度加热反应；高速离心分离，所得固体产物加入正丁胺/正己烷的混合溶液，得到胶体分散状态的过渡金属硫族化合物量子点材料。本发明公开的过渡金属硫族化合物量子点制备方法，通用性好、反应速度快、反应产率高、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN105129748A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510524126.3
申请日：2015-08-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种制备过渡金属硫族化合物量子点的方法，属胶体化学法制备功能纳米材料领域。本发明包括如下步骤：将金属羰基化合物和三辛基氧膦混合，加热溶解作为金属源前体，以十八烯为反应溶剂，在惰性气体保护下加热至反应温度，准备好金属源反应体系；以有机膦为配位溶剂，将非金属源硫粉、硒粉或碲粉制成前体溶液；将非金属源溶液注射入惰性气体保护下的金属源反应体系，保持反应温度加热反应；高速离心分离，所得固体产物加入正丁胺/正己烷的混合溶液，得到胶体分散状态的过渡金属硫族化合物量子点材料。本发明公开的过渡金属硫族化合物量子点制备方法，通用性好、反应速度快、反应产率高、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108423642B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810300486.9
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片的制备方法，以过渡金属硫族化合物的块体粉末为原料，以高分子作为助剂，通过高分子辅助球磨制备出不同尺寸、不同成分的过渡金属硫族化合物二维纳米片，包括3个步骤：高分子和高分子辅助球磨制备块体粉末的称取；球磨剥离和加水混匀取出；梯度离心获得不同尺寸产物，纯化除去多余的高分子。本发明解决了当前小尺寸过渡金属硫族化合物二维纳米片制备方法中存在的产率低、形貌不均一、工艺复杂等问题，具有产率高、工艺简单、通用性强、过程易控制,等优点。通过本发明所制备的小尺寸的过渡金属硫族化合物二维纳米片可以应用于不用的领域，诸如催化、光电及生物医学领域等。
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公开(公告)号：CN107827158A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710926883.2
申请日：2017-10-08
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: C01G41/006 , B82Y40/00 , C01P2002/01 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/38 , C01P2004/51 , C01P2004/64
Abstract: 本发明提供了一种可控制备小尺寸Cu2WS4纳米立方体的方法，其解决了现有技术中尚未对Cu2WS4纳米材料的尺寸和相态可控制备的问题，该方法具有反应条件简单、可批量快速合成、可控性强等优点，涉及纳米材料。以亚铜离子、硫代钨酸根离子作为反应原材料，含巯基的化合物作为配体，制备出不同相态和尺寸的Cu2WS4纳米材料。与传统的水热合成方法和溶剂热合成方法相比，本发明采用微波辅助的合成方法制备出不同相态和尺寸的Cu2WS4纳米立方体。本发明中Cu2WS4纳米立方体具有粒径小、相态与尺寸可控、独特的光学性质等良好的性能。通过本发明所制备的不同相态和尺寸的Cu2WS4纳米立方体可以应用于不同的领域，诸如光电化学、能源存储及生物医学领域等。
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公开(公告)号：CN104310482A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410512418.0
申请日：2014-09-29
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2004/04 , C01P2004/20
Abstract: 本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
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