公开(公告)号：CN111875823A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010661381.3

申请日：2020-07-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 钮伟 ,  张欣 ,  普勇

IPC: C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K5/435 ,  H01M10/0565 ,  H01G11/64 ,  H01G11/62

Abstract: 本发明公开了一种厚度可控的全透光离子液体凝胶薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步：在容器中加入离子液体与聚合物，再放入溶剂，以使聚合物和离子液体溶解，将溶解后的混合溶液进行磁力搅拌，使其混合均匀；第二步：将基底吸附在匀胶机仪器上，将第一步得到的混合溶液滴在基底上，通过设定不同的转速进行旋涂，得到旋涂有离子液体凝胶的基底；第三步，将第二步得到的旋涂有离子液体凝胶的基底放至真空烤箱中烘烤，得到所述全透光离子液体凝胶薄膜。本发明极大的提升了凝胶类离子凝胶薄膜的制备简易性，在保留了离子液体性能的同时，凝胶薄膜的物理形态克服了离子液体易流动的缺陷且厚度均匀可控，可获得100％透光率的离子凝胶薄膜。

公开(公告)号：CN114695124B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210363700.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王利霞 ,  张欣 ,  钮伟 ,  胡洪萁 ,  普勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。

公开(公告)号：CN114695124A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210363700.1

申请日：2022-04-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王利霞 ,  张欣 ,  钮伟 ,  胡洪萁 ,  普勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种独立式离子胶薄膜门控石墨烯场效应晶体管制备方法，包括：首先在硅衬底上旋涂光刻胶PMMA，光刻出预设电极图案；将曝光后的硅衬底进行显影操作后置于异丙醇中定影；使用EBE镀膜装置在衬底上蒸镀金属层，获得电极；然后将筛选出的石墨烯转移至目标电极上，制备石墨烯场效应晶体管；最后将提前配置的离子胶烘烤去除多余的溶剂后，剪切转移至上述石墨烯场效应晶体管上。本发明通过提出“先做电极后转样品”的方法，大大减少了传统繁琐操作过程对石墨烯样品表面的负面影响，有效提升了石墨烯场效应晶体管的制备效率和成功率，且这种“剪切粘贴”离子胶的加工策略便于应用于制造各种基于半导体材料的晶体管，为大规模集成电路提供了参考。