公开(公告)号：CN108461639A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810196447.9

申请日：2018-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张宏梅 ,  张川

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5092 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5353

Abstract: 本发明涉及一种使用有机p-n结作为电子注入层的高效率倒置有机发光二极管及其制备方法。该有机发光二极管的结构自下至上顺序设置为：玻璃衬底、氧化铟锡、有机p-n结电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。所述的有机p-n结电子注入层是p型材料和n掺杂的电子传输材料所构成的，其中p型材料为PEDOT:PSS，n掺杂材料为Bphen:Cs2CO3。本发明所用的有机p-n结电子注入层即为PEDOT:PSS/Bphen:Cs2CO3。有机p-n结作为电子注入层的使用提高了电子的注入能力，使载流子在发光区的注入更加平衡，进而提高器件的效率，同时使器件的寿命得以提升。