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公开(公告)号：CN103094347B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310010494.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094349A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310038221.3
申请日：2013-01-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种带有欠栅的三种材料异质栅碳纳米管场效应管，该场效应管整体为圆柱形，从圆心向外依次为碳纳米管（1）、包围碳纳米管（1）外部的绝缘层（2）、位于绝缘层（2）外的环栅（3），绝缘层（2）为环状，长度与碳纳米管（1）相同；在碳纳米管（1）的两头分别设有源极（4）、漏极（5），与源极（4）、漏极（5）相连的碳纳米管部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；这样就加入了欠栅结构。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能,在提高高频特性的同时提高开关电流比。
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公开(公告)号：CN103258858A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310141602.4
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用石墨烯纳米条带材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管的异质栅。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应。
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公开(公告)号：CN103227204A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310112320.1
申请日：2013-04-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。
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公开(公告)号：CN103227204B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310112320.1
申请日：2013-04-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。
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公开(公告)号：CN103094347A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310010494.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。
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