公开(公告)号：CN116801644A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310739301.5

申请日：2023-06-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 凌海峰 ,  王杰 ,  郑朝月 ,  解令海 ,  付敬伟 ,  和翔

IPC: H10K10/46 ,  H10K10/80 ,  H10K10/82 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，公开了一种单极性调控的双机制有机忆阻晶体管及其制备方法。该双机制有机忆阻晶体管从下至上依次设置包含栅极的衬底层、电解质层、电荷捕获层、半导体层、源极和漏极，双机制有机忆阻晶体管具有单极性电压幅值依赖塑性，通过调节漏极电压大小来调节电导增强或减弱，在所述双机制有机忆阻晶体管实现SVDP特性。本发明在忆阻晶体管中实现SVDP特性，通过引入双重电荷机制，利用两种机制之间的竞争作用，小幅值的刺激电压实现兴奋，大幅值的刺激电压实现抑制，在忆阻晶体管漏极实现SVDP特性，通过改变栅极的电压，可以调节SVDP特性，可以模拟更加丰富的突触行为。