-
公开(公告)号:CN107046101A
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201611003606.6
申请日:2016-11-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开等离子体共振增强的蓝光有机发光二极管及其制备方法,该蓝光有机发光二极管从下往上依次为:ITO玻璃基底、空穴传输层、旋涂蓝光发光层、蒸镀蓝光发光层、电子传输层、金属纳米粒子、电子传输层、电子注入层、不透明的金属阴极。制备的过程是先将基底清洗,再旋涂制膜,最后在真空中蒸镀制膜,结束后进行冷却即可。本发明利用旋涂/蒸镀双蓝光层,兼顾旋涂和蒸镀两种制膜方法的优势,使二极管易于制备且效率较高。本发明将银纳米粒子加入到电子传输层中,将其放置于靠近阴极附近,利用纳米粒子等离子体共振增强了电子的注入,同时有效降低了金属纳米粒子陷阱作用,最终实现了二极管性能的增强。本发明简单易行,具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号:CN107275497B
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201710337790.6
申请日:2017-05-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种利用银纳米立方的等离子共振效应增强器件性能的蓝光有机发光二极管结构及其制备方法,该蓝光有机发光二极管从下往上依次为:ITO玻璃基底、空穴传输层、银纳米立方层、蓝光发光层、电子传输层、金属阴极。银纳米立方的引入,使蓝光有机发光二极管的性能得到有效的提升。制备的过程包括:首先采用合成法制备银纳米立方,然后对银纳米立方进行二氧化硅层包裹。器件的制备则是先将基底清洗,再旋涂制膜,然后在真空中蒸镀制膜,结束后进行冷却即可。本发明将银纳米立方旋涂在空穴传输层和蓝光发光层之间,利用银纳米立方较强的等离子体共振效应,有效提高了蓝光有机发光二极管的效率。本发明简单易行,具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号:CN107275497A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710337790.6
申请日:2017-05-15
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/502 , B82Y30/00 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开一种利用银纳米立方的等离子共振效应增强器件性能的蓝光有机发光二极管结构及其制备方法,该蓝光有机发光二极管从下往上依次为:ITO玻璃基底、空穴传输层、银纳米立方层、蓝光发光层、电子传输层、金属阴极。银纳米立方的引入,使蓝光有机发光二极管的性能得到有效的提升。制备的过程包括:首先采用合成法制备银纳米立方,然后对银纳米立方进行二氧化硅层包裹。器件的制备则是先将基底清洗,再旋涂制膜,然后在真空中蒸镀制膜,结束后进行冷却即可。本发明将银纳米立方旋涂在空穴传输层和蓝光发光层之间,利用银纳米立方较强的等离子体共振效应,有效提高了蓝光有机发光二极管的效率。本发明简单易行,具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号:CN107046101B
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201611003606.6
申请日:2016-11-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开等离子体共振增强的蓝光有机发光二极管及其制备方法,该蓝光有机发光二极管从下往上依次为:ITO玻璃基底、空穴传输层、旋涂蓝光发光层、蒸镀蓝光发光层、电子传输层、金属纳米粒子、电子传输层、电子注入层、不透明的金属阴极。制备的过程是先将基底清洗,再旋涂制膜,最后在真空中蒸镀制膜,结束后进行冷却即可。本发明利用旋涂/蒸镀双蓝光层,兼顾旋涂和蒸镀两种制膜方法的优势,使二极管易于制备且效率较高。本发明将银纳米粒子加入到电子传输层中,将其放置于靠近阴极附近,利用纳米粒子等离子体共振增强了电子的注入,同时有效降低了金属纳米粒子陷阱作用,最终实现了二极管性能的增强。本发明简单易行,具有潜在的应用价值。
-
公开(公告)号:CN206293474U
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201621225537.9
申请日:2016-11-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型公开了等离子体共振增强的蓝光有机发光二极管,该蓝光有机发光二极管从下往上依次为:ITO玻璃基底、空穴传输层、旋涂蓝光发光层、蒸镀蓝光发光层、电子传输层、金属纳米粒子、电子传输层、电子注入层、不透明的金属阴极。制备的过程是先将基底清洗,再旋涂制膜,最后在真空中蒸镀制膜,结束后进行冷却即可。本实用新型利用旋涂/蒸镀双蓝光层,兼顾旋涂和蒸镀两种制膜方法的优势,使二极管易于制备且效率较高。本实用新型将银纳米粒子加入到电子传输层中,将其放置于靠近阴极附近,利用纳米粒子等离子体共振增强了电子的注入,同时有效降低了金属纳米粒子陷阱作用,最终实现了二极管性能的增强。本发明简单易行,具有潜在的应用价值。
-
-
-
-