公开(公告)号：CN115988954B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。

公开(公告)号：CN115988954A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211671817.2

申请日：2022-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 胥清绪 ,  邢瑜 ,  周双 ,  董帅 ,  普勇 ,  王海云

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子存储器技术领域，具体提供了一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法，所述忆阻器由下往上依次由衬底、金属电极、二维材料异质结构成；器件的开关比高达103，耐久性超过600圈的循环圈数；本发明提供的基于二维材料异质结的忆阻器可用来模拟人工突触。

公开(公告)号：CN114613678A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210247344.7

申请日：2022-03-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 普勇 ,  付新 ,  周双

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/78 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，该方法利用二维铁电材料和去离子水的共同作用，通过施加门电压的方式，使得二维铁电材料和去离子水共同产生极化，使极化效应增强，共同作用于导电沟道，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于去离子水的加入，使得极化效应大大增强了，器件的电阻率有很大的提高。