一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114512609B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202210037716.3

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法,该忆阻器为垂直三明治结构,自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极;其中,所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜,所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成,所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐),通过控制旋涂工艺参数,解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题,成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜,并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件,最终实现超低操作电压,高开关比,高的保持特性,读写擦循环>6000次。

    一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114512609A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210037716.3

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法,该忆阻器为垂直三明治结构,自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极;其中,所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜,所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成,所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐),通过控制旋涂工艺参数,解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题,成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜,并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件,最终实现超低操作电压,高开关比,高的保持特性,读写擦循环>6000次。

Patent Agency Ranking