公开(公告)号：CN113725357B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202110941110.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 俞景豪 ,  刘晓艳 ,  华传洋 ,  王正 ,  叶鹏飞 ,  王磊 ,  童祎

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器，且配置有顶电极保护层，具有稳定性好、导电性佳的特点，具有广阔的应用前景，同时本发明的制备方法简便高效，成本较低，适合在产业上广泛应用。

公开(公告)号：CN113725357A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110941110.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 俞景豪 ,  刘晓艳 ,  华传洋 ,  王正 ,  叶鹏飞 ,  王磊 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层，其特征在于，所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层，所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器，且配置有顶电极保护层，具有稳定性好、导电性佳的特点，具有广阔的应用前景，同时本发明的制备方法简便高效，成本较低，适合在产业上广泛应用。