公开(公告)号：CN117012807A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310924658.0

申请日：2023-07-26

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  孙铭顺 ,  郭宇锋 ,  许天赐 ,  刘鑫 ,  李昂 ,  任嵩茗 ,  李曼 ,  杨可萌 ,  张珺 ,  陈静 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了基于指型介质的分布式峰值电场横向功率器件，属于基本电气元件的技术领域。通过在功率器件的漂移区内部引入长度不一的指型介质区域，并按照一定的规则进行排布设计。指型介质区域的指尖位置能够形成新的峰值电场，错峰设计也能防止相邻介质产生的电场峰值叠加而导致器件在指尖位置提前击穿，从而使得器件承受更高的耐压。在器件的正向导通阶段，所引入的指型介质能够提高漂移区掺杂浓度，这有助于增强器件载流子的漂移能力，增强器件的正向导通性能。采用该结构制造的硅基、SOI基、碳化硅基、氮化镓基横向功率器件具有击穿电压高、比导通电阻低等优良的性能。

公开(公告)号：CN115966596A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202310234418.8

申请日：2023-03-13

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  许天赐 ,  郭宇锋 ,  刘鑫 ,  孙铭顺 ,  李曼 ,  张珺 ,  陈静 ,  蔡志匡 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN113871489B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202111458096.2

申请日：2021-12-02

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  许天赐 ,  郭宇锋 ,  李曼 ,  刘鑫 ,  孙铭顺

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种全环绕多通道漂移区横向功率器件及其制造方法，包括从下至上依次叠设的半导体衬底、埋层和有源区；有源区包括半导体漂移区、P型半导体区和N型半导体区；半导体漂移区包括介质层和内置在介质层中的若干个半导体通道。本发明通过在半导体通道四周填充高介电常数介质材料，形成全环绕多通道漂移区结构。全环绕介质从四个方向对漂移区中的半导体通道进行调制，使漂移区电势分布更加均匀、有效提升漂移区横向电场、器件纵向电场和器件击穿电压；多通道结构进一步增加高介电常数介质的调制面积，同时高介电常数介质有助于提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻；本发明不仅适用于硅基功率器件，也适用于宽禁带半导体功率器件。

公开(公告)号：CN115966596B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202310234418.8

申请日：2023-03-13

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  许天赐 ,  郭宇锋 ,  刘鑫 ,  孙铭顺 ,  李曼 ,  张珺 ,  陈静 ,  蔡志匡 ,  张茂林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN113871489A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111458096.2

申请日：2021-12-02

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  许天赐 ,  郭宇锋 ,  李曼 ,  刘鑫 ,  孙铭顺

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种全环绕多通道漂移区横向功率器件及其制造方法，包括从下至上依次叠设的半导体衬底、埋层和有源区；有源区包括半导体漂移区、P型半导体区和N型半导体区；半导体漂移区包括介质层和内置在介质层中的若干个半导体通道。本发明通过在半导体通道四周填充高介电常数介质材料，形成全环绕多通道漂移区结构。全环绕介质从四个方向对漂移区中的半导体通道进行调制，使漂移区电势分布更加均匀、有效提升漂移区横向电场、器件纵向电场和器件击穿电压；多通道结构进一步增加高介电常数介质的调制面积，同时高介电常数介质有助于提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻；本发明不仅适用于硅基功率器件，也适用于宽禁带半导体功率器件。

公开(公告)号：CN116304705A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310278870.4

申请日：2023-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵莎莎 ,  刘振娟 ,  张登银 ,  刘鑫 ,  冯向南 ,  蔡宇欣 ,  肖睿

IPC: G06F18/214 ,  G06F18/213 ,  G06F18/15 ,  G06F18/241 ,  G06N3/047 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开一种基于有条件扩散模型的流量数据集生成方法及装置，所述方法包括：采集带有标签的流量数据集；对原始流量数据集进行预处理得到灰度图；以灰度图作为输入，进行扩散模型的正向过程训练；当扩散模型收敛后，得到一个训练好的噪声预测器，用于扩散模型的逆向过程；利用高斯噪声生成与目标灰度图同大小的噪声图像，作为含噪图的初始值，进行逆向过程训练；循环迭代训练逆向过程，最后得到目标灰度图；将生成的灰度图转换成相应的数值矩阵，完成流量数据的生成。本发明避免了采用欠抽样可能造成丢失部分关键性特征、过抽样可能使分类器产生过拟合的缺点，相比GAN可以取得更好的图片生成效果，避免原始生成对抗模型中，训练不稳定的缺点。