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发明公开
用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构及其应用审中-实审

公开(公告)号：CN116466416A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310517873.9

申请日：2023-05-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨晓磊 , 储著杰 , 廖卓 , 朱晓俊 , 笪海霞

IPC: G02B1/00

Abstract: 本发明公开一种用于增强GH位移的缺陷准周期光子晶体结构，它为四种不同折射率的介质按照排布规则组合形成的混合结构；所述排布规则定义为：位于中间的对称介质结构，以及位于对称介质结构两侧的准周期光子晶体结构；其中，对称介质结构由单层MoS2和对称分布在单层MoS2两侧的两层HfO2组成；准周期光子晶体结构，为以Pell序列为模板的Li2O层和Si层交替分布组成，两侧的准周期光子晶体结构分别以周期N和M叠加。本发明结构中单层MoS2被夹在由Pell序列排列的两个准周期光子晶体之间。通过优化所有组分的厚度和序列的周期数，在特定的工作波长下，设计结构的GH位移显著增强。

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