公开(公告)号：CN105525267A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610037521.3

申请日：2016-01-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 何茂赟 ,  刘胜利 ,  王海云

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

CPC classification number: Y02E40/642 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01B12/06

Abstract: 本发明提供一种涂层导体Y1-xRExBCO超导层的生长方法，具体涉及一种利用磁控溅射法在铝酸镧(LAO)基片上制备Y1-xRExBCO超导层的方法，有效克服YBCO超导层的厚度效应，提高超导载流能力。先用Sm或者Gd部分代替Y制备Y1-xRExBCO磁控溅射靶材，然后再将反应室抽真空至真空度小于等于5×10-4Pa，将LAO基片加热至600～700℃，20～30分钟后充入氩气和氧气至腔体气压稳定在30～60Pa，氧气氩气比例为1:2～1:3，以Y1-xRExBCO为靶材，开始溅射。溅射结束后，降温至400～450℃并充入氧气至气压维持在700～750mbar，进行40～80分钟退火处理。镀膜结束，将温度降至室温，得到LAO基带上生长的Y1-xRExBCO超导层。利用该方法能生产出Y1-xRExBCO超导层的厚度达到3μm的涂层导体。