公开(公告)号：CN104142178B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410357523.1

申请日：2014-07-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨涛 ,  许超 ,  黄维 ,  周馨慧 ,  李兴鳌 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于滤波膜阵列的光谱测量装置，包括沿入射光传播方向依次设置的光学准直装置、滤波膜阵列、探测阵列芯片；所述滤波膜阵列包括一组平行且在入射光方向上互不重叠的滤波膜，各滤波膜在所述探测阵列芯片的测量波段范围内的透射谱线互不相同；所述滤波膜阵列中的每一片滤波膜均有至少一个所述探测阵列芯片的像素元与其正对。本发明还公开了使用上述光谱测量装置的光谱测量方法。相比现有技术，本发明易于制作，成本低廉，利于实现批量生产。

公开(公告)号：CN104166249B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410349829.2

申请日：2014-07-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄维 ,  周源 ,  杨涛 ,  沈骁 ,  李兴鳌 ,  周馨慧 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。

公开(公告)号：CN104142178A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410357523.1

申请日：2014-07-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 杨涛 ,  许超 ,  黄维 ,  周馨慧 ,  李兴鳌 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于滤波膜阵列的光谱测量装置，包括沿入射光传播方向依次设置的光学准直装置、滤波膜阵列、探测阵列芯片；所述滤波膜阵列包括一组平行且在入射光方向上互不重叠的滤波膜，各滤波膜在所述探测阵列芯片的测量波段范围内的透射谱线互不相同；所述滤波膜阵列中的每一片滤波膜均有至少一个所述探测阵列芯片的像素元与其正对。本发明还公开了使用上述光谱测量装置的光谱测量方法。相比现有技术，本发明易于制作，成本低廉，利于实现批量生产。

公开(公告)号：CN104166249A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410349829.2

申请日：2014-07-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄维 ,  周源 ,  杨涛 ,  沈骁 ,  李兴鳌 ,  周馨慧 ,  刘亚丽 ,  何浩培 ,  严怀成

IPC: G02F1/015

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制。本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。