公开(公告)号：CN111689867B

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202010504469.4

申请日：2020-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  张静 ,  汪联辉 ,  李学伟 ,  丁竹成 ,  李海洋

IPC: C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C213/08 ,  C07C217/92 ,  C07C323/36 ,  C07C319/20 ,  H10K30/86

Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N‑芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N‑芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴‑电子复合的几率，N‑芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。

公开(公告)号：CN113105474A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110397732.9

申请日：2021-04-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  丁竹成 ,  汪联辉 ,  李海洋 ,  种彬

IPC: C07D495/14 ,  C07D487/14 ,  C07D495/22 ,  C07D307/91 ,  C07D277/28 ,  C07D333/76 ,  C07D333/54 ,  C07C217/84 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种非掺杂空穴传输材料的结构、合成方法及其应用。一种非掺杂型空穴传输材料以N,N‑二芳基‑m‑苯胺基作为外围给电子单元，以2,6,10‑三甲基三亚苯、烷基取代的TRX、N‑TRX和三噻吩并苯、二噻吩并吡咯等为核心构成。本发明还公开了一种非掺杂空穴传输材料作为钙钛矿太阳电池空穴传输层的用途，所述的钙钛矿太阳电池各层包括衬底、电极、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和电极，其中，空穴传输层至少包括一种非掺杂空穴传输材料中的一种或两种以上的混合物。本发明公开的一种非掺杂空穴传输材料具有高迁移率、高稳定性和易于合成等优势，所制备的钙钛矿电池具有光电转换效率高、器件稳定性好的优势。

公开(公告)号：CN111796012A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010458193.0

申请日：2020-05-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 傅妮娜 ,  田思雨 ,  汪联辉 ,  丁竹成 ,  王路璐 ,  章胜裕

IPC: G01N27/327 ,  C12Q1/6825 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于高效稳定原位生长二氧化钛/纳米金光阳极的光电化学传感器制备方法：清洗氧化铟锡电极ITO切片：先将ITO切片依次放在丙酮、乙醇、超纯水溶液中超声处理；再用乙醇棉球擦拭后用超纯水冲洗干净，将ITO一面朝上放置在培养皿中退火，最后将ITO切片取出进行等离子体和臭氧处理；在处理后的ITO切片上旋涂钛酸四异丙酯、钛酸丁酯或钛酸乙酯前驱体，随后，将旋涂后的ITO基片退火，得到ITO/TiO2电极；将ITO/TiO2电极冷却至室温后，进行原位金纳米颗粒负载，得ITO/TiO2/Au NPs光阳极。该光电化学传感器具有高效、均一、稳定、制备重复性高的、结构简单、贮存稳定性好、检测重复性好、对miRNA-21具有敏感性和特异性等优点，用于miRNA的检测。

公开(公告)号：CN111689867A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010504469.4

申请日：2020-06-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赵保敏 ,  张静 ,  汪联辉 ,  李学伟 ,  丁竹成 ,  李海洋

IPC: C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C07C213/08 ,  C07C217/92 ,  C07C323/36 ,  C07C319/20 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种空穴传输层材料在钙钛矿太阳电池中的应用。这种空穴传输层材料均以螺芴为核，N-芳基萘胺为四个端基。钙钛矿太阳电池包括衬底、电极、空穴传输层、活性层、电子传输层和电极，其中活性层为传统的甲胺碘化铅（MAPbI）型钙钛矿，空穴传输层为本发明公开的一种基于N-芳基萘胺的空穴传输层材料。本发明所制备的钙钛矿电池均具有较高的开路电压，较高的短路电流，较高的填充因子，相应的钙钛矿电池能量转换效率最高可达17.33%，此外，在无掺杂情况下，相应的钙钛矿器件依然具有较高的光电转换效率。本发明的空穴传输材料在钙钛矿制备过程中可溶解于溶剂中最终留在钙钛矿层中形成异质结结构，从而提高空穴的抽取效率且降低空穴-电子复合的几率，N-芳基萘胺的引入提升了器件稳定性。