公开(公告)号：CN102064206A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010565133.5

申请日：2010-11-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  李飙 ,  徐源 ,  杜玉杰 ,  王晓晖 ,  杜晓晴

IPC: H01L31/0224 ,  H01J1/34 ,  H01L31/18 ,  H01J9/12

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层的前表面上，厚度在nm数量级。该结构采用多组分和梯度掺杂光电发射层，增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度。

公开(公告)号：CN102087937A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201110002216.8

申请日：2011-01-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  李飙 ,  徐源 ,  王晓晖 ,  高频 ,  张俊举 ,  杜晓晴

IPC: H01J1/38 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明提供一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型指数掺杂GaN光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型指数掺杂GaN光电发射层的前表面上。该结构采用指数掺杂GaN光电发射层，一方面增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度；另一方面由于指数函数在工程技术领域的广泛应用，采用指数掺杂结构GaN发射层更便于理论设计、理论仿真和数据优化。