公开(公告)号：CN114496685A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111671068.9

申请日：2021-12-31

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 田春英 ,  张俊举 ,  曹俊杰 ,  沙娓娓 ,  王勇 ,  陈若曦

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种基于绒面结构的NEA GaAs光电阴极及制备方法，属于光电阴极技术领域，所述结构由下至上依次是半导体衬底、GaAs发射层和表面激活层，衬底为Si或者SiC等绝缘体，发射层的上表面被制成了金字塔形的绒面结构，然后对绒面发射层进行Cs/O激活形成激活层。本发明制成的金字塔结构尺寸在1微米左右，且分布均匀。通过表面制绒，降低光电阴极表面的反射率，增加光的吸收，进而提高光电阴极的量子效率。

公开(公告)号：CN112635582A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011420324.2

申请日：2020-12-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈若曦 ,  沙娓娓 ,  王勇 ,  陈佳慧 ,  田春英 ,  曹俊杰 ,  张俊举

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/10 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种表面光学共振增强的银纳米结构光电阴极，包括GaAs(100)衬底层、设置在GaAs(100)衬底层上的GaAs发射层、设置在GaAs发射层上的Ag纳米粒子阵列，以及设置在Ag纳米粒子上的Cs/O激活层。本发明的Ag纳米粒子阵列的光学共振效应增强了光吸收，提升了材料折射率，并利用激活层降低了功函数。

公开(公告)号：CN113972288B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202111210171.3

申请日：2021-10-18

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张俊举 ,  曹俊杰 ,  田春英 ,  沙娓娓 ,  王勇 ,  郝广辉 ,  陈若曦

IPC: H10F77/20 ,  H10F77/14 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法，所述光电阴极包括纳米孔阵列、GaAs发射层和Cs\O吸附层，所述纳米孔阵列构建在GaAs发射层的上表面，所述Cs\O吸附层构建于GaAs发射层的下表面。本发明通过等效介质理论，可以将纳米孔阵列等效成一层新的介质，这层新介质的折射率介于真空与GaAs材料之间，能够缓解两者的折射率突变，降低入射光的反射率，提高GaAs发射层对于光的吸收率，从而有效增强光电阴极的性能，可应用于微光像增强器、电子显微镜和新型太阳能电池等领域。

公开(公告)号：CN113972288A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111210171.3

申请日：2021-10-18

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 曹俊杰 ,  张俊举 ,  田春英 ,  沙娓娓 ,  王勇 ,  郝广辉 ,  陈若曦

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法，所述光电阴极包括纳米孔阵列、GaAs发射层和Cs\O吸附层，所述纳米孔阵列构建在GaAs发射层的上表面，所述Cs\O吸附层构建于GaAs发射层的下表面。本发明通过等效介质理论，可以将纳米孔阵列等效成一层新的介质，这层新介质的折射率介于真空与GaAs材料之间，能够缓解两者的折射率突变，降低入射光的反射率，提高GaAs发射层对于光的吸收率，从而有效增强光电阴极的性能，可应用于微光像增强器、电子显微镜和新型太阳能电池等领域。