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公开(公告)号：CN108929677A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810770669.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双发射二维钙钛矿荧光粉及其制备方法。所述方法先按碘化铅与锰盐的摩尔比为7：3～6：4，将碘化烷基胺、碘化铅和锰盐粉末研磨混合均匀，加入极性溶剂中研磨，然后将干燥的粉末在80～110℃下进行退火处理，得到双发射二维钙钛矿荧光粉。本发明实现了商业化InGaN蓝光芯片激发的发光波长在500nm和625nm的双发射二维钙钛矿荧光粉，通过调控两个波长的荧光的相对强度，可以实现色坐标在黄光区域的荧光粉，并与蓝光叠加得到白光，同时稳定性显著提高。
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公开(公告)号：CN110515113A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910709406.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01T1/20 , G01N23/223
Abstract: 本发明公布了一种核壳结构卤素钙钛矿X射线闪烁体及其制备方法。所述的闪烁体为CsPbBr3@Cs4PbBr6，具有核壳结构，将溴化铅与溴化铯按照化学计量比溶解之后，在一定温度下加热并重结晶，即可大批量制备高质量的核壳结构卤素钙钛矿闪烁体。本发明所述的闪烁体性能优异，尤其是具有极快的光衰减速度，有利于减小X射线曝光周期，提高成像质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108929677B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201810770669.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双发射二维钙钛矿荧光粉及其制备方法。所述方法先按碘化铅与锰盐的摩尔比为7：3～6：4，将碘化烷基胺、碘化铅和锰盐粉末研磨混合均匀，加入极性溶剂中研磨，然后将干燥的粉末在80～110℃下进行退火处理，得到双发射二维钙钛矿荧光粉。本发明实现了商业化InGaN蓝光芯片激发的发光波长在500nm和625nm的双发射二维钙钛矿荧光粉，通过调控两个波长的荧光的相对强度，可以实现色坐标在黄光区域的荧光粉，并与蓝光叠加得到白光，同时稳定性显著提高。
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公开(公告)号：CN110526824B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910709403.6
申请日：2019-08-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: C07C211/03 , C07C209/74 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明涉及一种基于锰掺杂二维卤素钙钛矿的β射线闪烁体及其制备方法，所述的β射线闪烁体为锰掺杂的二维卤素钙钛矿XA2PbBr4：Mn，其中，XA代表卤化有机胺，通过低温液相反应、离心干燥、研磨、退火等步骤，即可实现该材料的大批量合成，制备的β射线闪烁体性能优异，对高能电子束的耐受性强，具有较强的疏水性，不易潮解，易于储存，且其荧光效率能达到60%。
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公开(公告)号：CN109053457A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810769549.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: C07C209/00 , C09K11/06 , C07C211/03 , C09K11/66
Abstract: 本发明公布了一种水相制备二维卤素钙钛矿的方法。所述方法先将卤化烷基胺和卤化铅粉末溶解在二甲基亚砜中形成前驱体，然后将该前驱体在搅拌条件下直接与水混合，由于水溶液对于卤化铅和卤化烷基胺都是不良溶剂，在前驱体溶液与水混合的过程中溶解度急剧下降，从而生成二维卤素钙钛矿。本发明实现了在水溶液中二维卤素钙钛矿的制备，极大地减少了对环境有害的有机溶剂的使用操，作简易、产率高、可重复性高，且合成的二维卤素钙钛矿带隙可调，荧光效率高。
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公开(公告)号：CN109053457B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201810769549.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: C07C209/00 , C09K11/06 , C07C211/03 , C09K11/66
Abstract: 本发明公布了一种水相制备二维卤素钙钛矿的方法。所述方法先将卤化烷基胺和卤化铅粉末溶解在二甲基亚砜中形成前驱体，然后将该前驱体在搅拌条件下直接与水混合，由于水溶液对于卤化铅和卤化烷基胺都是不良溶剂，在前驱体溶液与水混合的过程中溶解度急剧下降，从而生成二维卤素钙钛矿。本发明实现了在水溶液中二维卤素钙钛矿的制备，极大地减少了对环境有害的有机溶剂的使用操，作简易、产率高、可重复性高，且合成的二维卤素钙钛矿带隙可调，荧光效率高。
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公开(公告)号：CN110526824A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910709403.6
申请日：2019-08-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: C07C211/03 , C07C209/74 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明涉及一种基于锰掺杂二维卤素钙钛矿的β射线闪烁体及其制备方法，所述的β射线闪烁体为锰掺杂的二维卤素钙钛矿XA2PbBr4：Mn，其中，XA代表卤化有机胺，通过低温液相反应、离心干燥、研磨、退火等步骤，即可实现该材料的大批量合成，制备的β射线闪烁体性能优异，对高能电子束的耐受性强，具有较强的疏水性，不易潮解，易于储存，且其荧光效率能达到60%。
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