公开(公告)号：CN114716251A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210562483.9

申请日：2022-05-23

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 吴超 ,  霍可心 ,  黄相杰 ,  陆佳敏 ,  马骏驰 ,  卢宇泽 ,  陈语

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提供一种BN纳米片强韧化高导热AlN陶瓷基板的制备方法，步骤如下：S1、对氮化硼粉体、聚乙二醇、蔗糖、无水乙醇进行一次球磨；将球磨后的浆料置于冷热冲击箱中循环若干次，随后进行二次球磨；在二次球磨后的浆料中加入氮化铝粉、氧化钇粉、聚乙烯醇缩丁醛、无水乙醇，进行三次球磨后得到流延浆料；S2、使用S1得到的流延浆料制备复相陶瓷素片；S3、对S2得到的复相陶瓷素片进行高温烧结，得到陶瓷基板。本发明制备的AlN陶瓷基板结构紧密，相对密度均大于99％，热导率均大于175W/(m·K)，抗弯强度均高于370MPa，断裂韧性高于5.0MPa·m1/2，且微观组织结构良好，完全达到了商用高导热基板的要求，断裂韧性更是远高于市售的氮化铝基板。

公开(公告)号：CN113213944A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110564631.6

申请日：2021-05-24

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 吴超 ,  霍可心 ,  黄相杰 ,  陆佳敏 ,  马骏驰 ,  卢宇泽 ,  陈语

IPC: C04B35/582 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明提供了一种BN纳米片强韧化高导热AlN陶瓷基板和制备方法，包括以下步骤：步骤S01：制备BN纳米片强韧化高导热AlN陶瓷流延浆料；步骤S02：制备BN纳米片强韧化高导热AlN陶瓷素片；步骤S03：将步骤S02制得的陶瓷素片氮气气氛下烧结6‑8h，得产品。本发明采用机械球磨法剥离氮化硼纳米片，一步法制备氮化硼纳米片强韧化氮化铝陶瓷的浆料，通过流延、排胶和烧结等工艺得到陶瓷基板。BN纳米片的添加旨在不影响氮化铝基板导热性能的基础上，通过片状纳米颗粒的钉扎和裂纹偏转效应，大幅提高陶瓷基板对断裂能的消耗，从而改善氮化铝陶瓷的力学性能，扩大氮化铝陶瓷基板的应用领域。