-
公开(公告)号：CN111211770B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010097060.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiC MOSFET。优点：本发明能够通过改变SiC MOSFET驱动电压，抑制SiCMOSFET开关过程中电流变化率，在牺牲较小开关损耗的情况下，抑制器件开关过程中电流、电压过冲和振荡现象。
-
公开(公告)号：CN111181701A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911272715.1
申请日：2019-12-12
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种基于双目标优化的电能路由器冗余子模块配置方法，包括以下步骤：(1)确定系统的可靠性函数；(2)根据系统的可靠性函数建立成本-损失函数EM；(3)根据系统的可靠性函数和成本-损失函数EM建立双目标优化函数Ttotal；(4)对双目标优化函数Ttotal进行优化，得到优化目标函数maxTtotal；(5)求解优化目标函数maxTtotal，得到冗余子模块数量n。该方法采用双目标函数，能够分析出使可靠性与经济性的综合达到最优情况的冗余数量，分析过程简单、有利于在工程中应用。
-
公开(公告)号：CN111211770A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010097060.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K19/0175 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiC MOSFET。优点：本发明能够通过改变SiC MOSFET驱动电压，抑制SiCMOSFET开关过程中电流变化率，在牺牲较小开关损耗的情况下，抑制器件开关过程中电流、电压过冲和振荡现象。
-
公开(公告)号：CN111130518A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911224115.8
申请日：2019-12-03
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET快速短路保护电路，包括依次串联的驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路。本发明实施的SiC MOSFET短路保护电路通过电压采样电路等效检测SiC MOSFET运行过程中漏极电流，由脉冲产生电路产生脉冲信号，控制第一三极管和第二三极管，当SiC MOSFET无短路故障时，驱动电路正常运行，当SiC MOSFET发生短路故障时，保护电路强制关断第一三极管，导通第二三极管，以关断SiC MOSFET，保护其安全运行。
-
公开(公告)号：CN110380617A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910588344.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 南京工程学院
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种带电流控制滑动流形的移相全桥直流变换器PWM滑模控制方法，包括如下步骤：(1)建立移相全桥直流变换器的平均状态模型；(2)设计带电流控制滑动流形的移相全桥PWM滑模控制器。本发明基于移相全桥直流变换器在完整周期内的状态方程，引入电流误差，通过改变超前桥臂和滞后桥臂的相位差来实现移相全桥直流变换器的定频电压输出；设计移相全桥变换器的带电流控制滑动流形的PWM滑模控制器，利用其鲁棒性强、动态响应快、控制精度高等优点，克服输入电压、电阻负载的扰动，提高输出电压的动态响应速度以及调节能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111327302B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010097316.2
申请日：2020-02-17
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点：本发明的电路简单，能够抑制电流、电压过冲和振荡现象，且没有增加驱动电阻阻值，不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。
-
公开(公告)号：CN110943620A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911141175.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 南京工程学院
IPC: H02M3/28
Abstract: 本发明公开了一种LLC谐振直流变换器的移相滑模控制方法及系统，采样LLC谐振直流变换器的输出电压信号，将其与基准电压信号进行比较，并将比较结果转化为滑模输出信号；将滑模输出信号转化为移相比切换信号；根据移相比切换信号，产生具有移相角的驱动信号；将产生的驱动信号分别驱动LLC谐振直流变换器中的若干个功率开关管。优点：采用滞环滑模变结构控制使变换器超前桥臂和滞后桥臂的移相比在最大移相比和最小移相比之间切换，在调节LLC串联谐振变换器稳态输出的同时，可提升变换器的鲁棒性，并且可实现宽范围电压输入。
-
公开(公告)号：CN111130518B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911224115.8
申请日：2019-12-03
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET快速短路保护电路，包括依次串联的驱动电路、电压采样电路和脉冲产生电路。本发明实施的SiC MOSFET短路保护电路通过电压采样电路等效检测SiC MOSFET运行过程中漏极电流，由脉冲产生电路产生脉冲信号，控制第一三极管和第二三极管，当SiC MOSFET无短路故障时，驱动电路正常运行，当SiC MOSFET发生短路故障时，保护电路强制关断第一三极管，导通第二三极管，以关断SiC MOSFET，保护其安全运行。
-
公开(公告)号：CN111327302A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010097316.2
申请日：2020-02-17
Applicant: 南京工程学院
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路，脉冲产生电路和电压注入电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于在SiC MOSFET开关过程的特定时间段内产生脉冲信号，并传输给电压注入电路；所述电压注入电路，用于根据所述脉冲信号向驱动电路注入电压。优点：本发明的电路简单，能够抑制电流、电压过冲和振荡现象，且没有增加驱动电阻阻值，不会延长SiC MOSFET的开关时间和增加开关损耗。
-
公开(公告)号：CN110289766A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910541296.0
申请日：2019-06-21
Applicant: 南京工程学院
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了电力电子技术领域的一种双向三相LLC谐振变换器，旨在解决现有技术中LLC谐振变换器元件承受转换应力集中，对副边整流二极管性能要求高、使用损耗大，以及不适用于大功率场合的技术问题。所述变换器包括原边、副边、谐振腔和控制器，原边包括输入滤波电容和与其并联的三相全桥逆变电路，副边包括输出滤波电容和与其并联的三相全桥整流电路，控制器连接于原边和副边的功率开关管，控制器根据输出滤波电容的电流判断变换器的工作状态，所述工作状态包括正向工作状态和反向工作状态，根据工作状态对三相全桥逆变电路或三相全桥整流电路中的功率开关管进行控制，从而将由输入滤波电容或输出滤波电容输出的电压稳定在额定值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.017 seconds)
