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公开(公告)号：CN101249963A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810020463.9
申请日：2008-03-07
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B33/113 , C09C1/28
Abstract: 本发明公开了一种一步法制备超疏水二氧化硅的方法，该制备方法工艺简单，反应条件温和，制备成本较低，制备的二氧化硅其水接触角可达155.1°，能有效阻止二氧化硅表面的二次团聚现象，改善无机相与有机相的界面相容性，增强其与聚合物结合力。该方法包括以下步骤：(A)分散：常温下，将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器；(B)反应：将反应器升至60～100℃，加入处理剂，继续搅拌并反应20～40分钟后，使温度升100～140℃并回流3～6小时使二氧化硅表面达到超疏水；(C)分离、干燥：用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅，去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。
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公开(公告)号：CN100575256C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810020464.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B33/113 , C09C1/28
Abstract: 本发明公开了一种超疏水二氧化硅的制备方法，该制备方法工艺简单，反应条件温和，制备成本较低。本发明的超疏水二氧化硅的制备方法主要包括以下步骤：(A)分散：常温下，将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器；(B)反应：将反应器升至60～100℃，加入处理剂1，继续搅拌并反应20～40分钟后，使温度升至100～140℃并回流3～6小时，使反应充分进行；使温度降至60～100℃，加入处理剂2，搅拌下反应1～4小时，使二氧化硅表面达到超疏水水；(C)分离、干燥：用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅，去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。
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公开(公告)号：CN101249964A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810020464.3
申请日：2008-03-07
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B33/113 , C09C1/28
Abstract: 本发明公开了一种超疏水二氧化硅的制备方法，该制备方法工艺简单，反应条件温和，制备成本较低。本发明的超疏水二氧化硅的制备方法主要包括以下步骤：(A)分散：常温下，将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器；(B)反应：将反应器升至60～100℃，加入处理剂1，继续搅拌并反应20～40分钟后，使温度升至100～140℃并回流3～6小时，使反应充分进行；使温度降至60～100℃，加入处理剂2，搅拌下反应1～4小时，使二氧化硅表面达到超疏水水；(C)分离、干燥：用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅，去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。
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公开(公告)号：CN100575255C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200810020463.9
申请日：2008-03-07
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B33/113 , C09C1/28
Abstract: 本发明公开了一种一步法制备超疏水二氧化硅的方法，该制备方法工艺简单，反应条件温和，制备成本较低，制备的二氧化硅其水接触角可达155.1°，能有效阻止二氧化硅表面的二次团聚现象，改善无机相与有机相的界面相容性，增强其与聚合物结合力。该方法包括以下步骤：(A)分散：常温下，将二氧化硅固体粉末和溶剂混合并均匀分散后加入反应器；(B)反应：将反应器升至60～100℃，加入处理剂，继续搅拌并反应20～40分钟后，使温度升100～140℃并回流3～6小时使二氧化硅表面达到超疏水；(C)分离、干燥：用溶剂洗涤并过滤上述超疏水二氧化硅，去除溶剂及剩余的反应物并真空干燥。
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