一种聚吡咯-金纳米阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN118497850A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410242762.6

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域,涉及一种聚吡咯‑金纳米阵列的制备方法。一种聚吡咯‑金纳米阵列的制备方法,步骤如下:金片打磨;电沉积技术构建聚吡咯纳米阵列;电沉积技术构建聚吡咯‑金纳米阵列。本发明所制备的聚吡咯‑金纳米阵列具有更大的有效表面积,更多的活性位点和更快的传质,可提高生物传感器的信号,可以广泛应用在生物传感器的研究当中,从而应用于发酵工程、制药工程、生物医学等领域。基于电化学沉积技术,开发出一种聚吡咯‑金纳米阵列的制备方法。该制备方法流程简便、可重复性强,得到的聚吡咯‑金纳米阵列结构均一,具有大规模工艺化生产的前景。

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