一种耗氧型无机纳米酶治疗试剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114767713B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202210211883.5

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种仿CcO无机纳米酶治疗试剂,它是以铜银合金纳米粒子为载体,在铜银合金纳米粒子的孔道里负载乏氧激活化疗药AQ4N,并在铜银合金纳米粒子表面修饰亲水性氨基化聚乙二醇形成的AQ4N@Cu‑Ag纳米材料。本发明还公开了仿CcO无机纳米酶治疗试剂在制备饥饿治疗/活性氧疗法/化疗协同肿瘤治疗药物的应用。仿CcO无机纳米酶治疗试剂结构明确,合成工艺简单,具有类酶活性,可与癌细胞内源性过表达的Cytc协同作用还原氧气,有效改造肿瘤微环境氧气浓度,纳米治疗试剂可以高效富集于肿瘤部位,产生饥饿效应,切断能量供应,产生毒性活性氧物种,以及激活AQ4N生成AQ4杀死肿瘤细胞,有效防止肿瘤的复发和转移。

    钉扎型自旋阀结构、生物磁传感器、生物分子检测方法

    公开(公告)号:CN105911103A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610226559.5

    申请日:2016-04-13

    Inventor: 章伟 杨楠

    CPC classification number: G01N27/04

    Abstract: 本发明公开了一种钉扎型自旋阀结构,包括依次设置的钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层;该钉扎型自旋阀结构还包括依次设置于自由层相对于隔离层的另一侧的保护层、附加钉扎层;所述保护层为非磁性材料;所述附加钉扎层可产生对所述自由层中边缘多磁畴实现钉扎作用的磁钉场。本发明还公开了一种生物磁传感器及一种生物分子检测方法。本发明通过在传统钉扎型自旋阀结构的自由层一侧引入附加钉扎层,来对磁传感器自由层中边缘多磁畴进行钉扎,从而有效抑制了磁传感器的磁噪声,提高了磁传感器的灵敏度;同时又具有制备工艺简单、生产成本低的优点。

    一种大面积氧化锌纳微发电机的制造方法

    公开(公告)号:CN104037320A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201410229816.1

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 一种大面积ZnO纳微发电机的制造方法,在衬底上沉积Au电极;旋涂光刻胶,形成Y方向的光刻胶纳微米线结构;通过离子束刻蚀刻蚀掉没有光刻胶保护的Au电极材料,然后沉积硬掩膜材料氧化铝,刻蚀掉侧壁的氧化铝材料,以暴露光刻胶;用丙酮剥离掉光刻胶及上面的Al2O3,利用溶胶凝胶法沉积ZnO薄膜;用离子束刻蚀和丙酮进行光刻胶剥离形成ZnO纳米线;旋涂光刻胶,经曝光和成型后露出两端的ZnO纳米线;利用电子束蒸发沉积Pt电极;用丙酮剥离掉光刻胶,刻蚀去除Al2O3,压电纳米发电机结构;暴露压电纳米发电机到振动源,产生压电转换和纳微压电发电。达到低成本、高机械能-电能转化纳米发电机的大面积可控生产和加工。

    一种大面积氧化锌纳微发电机的制造方法

    公开(公告)号:CN104037320B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410229816.1

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 一种大面积ZnO纳微发电机的制造方法,在衬底上沉积Au电极;旋涂光刻胶,形成Y方向的光刻胶纳微米线结构;通过离子束刻蚀刻蚀掉没有光刻胶保护的Au电极材料,然后沉积硬掩膜材料氧化铝,刻蚀掉侧壁的氧化铝材料,以暴露光刻胶;用丙酮剥离掉光刻胶及上面的Al2O3,利用溶胶凝胶法沉积ZnO薄膜;用离子束刻蚀和丙酮进行光刻胶剥离形成ZnO纳米线;旋涂光刻胶,经曝光和成型后露出两端的ZnO纳米线;利用电子束蒸发沉积Pt电极;用丙酮剥离掉光刻胶,刻蚀去除Al2O3,压电纳米发电机结构;暴露压电纳米发电机到振动源,产生压电转换和纳微压电发电。达到低成本、高机械能‑电能转化纳米发电机的大面积可控生产和加工。

    磁隧道结结构、隧道磁阻元件

    公开(公告)号:CN105938872A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201610383994.9

    申请日:2016-06-02

    Inventor: 章伟 杨楠 胡雪峰

    CPC classification number: H01L43/08 H01L43/02 H01L43/10 H01L43/12

    Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结结构,属于磁电子学技术领域。本发明磁隧道结结构包括以下几方面改进:导入超薄金属Mg层从而构成Mg/MgO/Mg三明治超晶格结构的绝缘势垒层;利用两种具有相反磁致伸缩特性的铁磁材料层所构成的超晶格结构作为钉扎型TMR结构的自由层;在自由层侧壁引入可对自由层中边缘微小磁畴实现钉扎作用的附加钉扎层。本发明还公开了一种隧道磁阻元件以及应用该隧道磁阻元件的隧道磁阻磁头、隧道磁阻传感器、磁存储单元。相比现有技术,本发明可有效降MTJ元件中的电磁噪声,大幅提高TMR传感器的灵敏度。

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